技术总结
本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在CMOS图像传感器结构中金属间介质层上的像素阵列之间设置网格状介质薄膜，将其网格沟槽中叠设的接触下电极、光敏薄膜分割为与像素对应的水平阵列，形成电场隔离，使得各分割的光敏薄膜产生的载流子只能汇聚到其下对应的接触下电极上而不会到达周围像素，从而限制了光生载流子的运动方向，达到减小像素间串扰的目的。
技术研发人员：耿阳;胡少坚;陈寿面
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
文档号码：201610601001
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2016.12.07