技术总结
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在保护气氛下，首先450℃～550℃加热氮化碳原料1min～6h，使得氮化碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体1min～6h，使得氮化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为10nm～150nm的石墨相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法在导电基底表面修饰石墨相氮化碳薄膜，从而提高电极的热电性能，以及氮化碳薄膜的均匀度及稳定性。
技术研发人员：申燕;吕晓伟
受保护的技术使用者：华中科技大学
文档号码：201610671067
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2016.12.07