DDDMOS器件及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种DDDMOS器件，其特征在于，包括：

一硅衬底；

形成于所述硅衬底上的一第一导电类型埋层；

形成于所述第一导电类型的埋层上的一第一导电类型外延层；

形成于所述第一导电类型外延层上的漂移区，所述漂移区内包括第一导电类型重掺杂区；

形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型阱区，该第二导电类型阱区相邻于所述漂移区，所述第二导电类型阱区内形成有第一导电类型重掺杂区以及第二导电类型重掺杂区；

形成于所述第二导电类型阱区以及所述漂移区上的栅极多晶硅；

所述栅极多晶硅与所述第二导电类型阱区以及所述漂移区之间形成有栅氧化层；

所述栅极多晶硅覆盖所述漂移区。

2.如权利要求1所述的DDDMOS器件，其特征在于，对于N型DDDMOS器件，所述第一导电类型为N型、第二导电类型为P型；所述DDDMOS器件为P型时，第一导电类型为P型、第二导电类型为N型。

3.一种如权利要求1所述的DDDMOS器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：在硅衬底上通过第一导电类型离子注入形成第一导电类型埋层；

步骤二：在所述第一导电类型埋层上生长第一导电类型外延层；

步骤三：光刻打开注入区域，注入第一导电类型杂质离子形成第一导电类型漂移区，注入第二导电类型杂质离子形成第二导电类型阱区；

步骤四：在所述第一导电类型外延层上通过热氧化方法生长栅氧化层，淀积多晶硅；

步骤五：进行多晶硅栅刻蚀，形成栅极多晶硅；

步骤六：使所述栅极多晶硅覆盖所述第一导电类型漂移区；

步骤七：进行常规的源漏离子注入，分别形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型重掺杂区域。

4.如权利要求3所述的DDDMOS器件的制造方法，其中第一导电类型重掺杂区域为NLDMOS的源漏区，第二导电类型重掺杂区域为第二导电类型阱区的引出端。

5.如权利要求4所述的DDDMOS器件的制造方法，其特征在于，对于N型DDDMOS器件，所述第一导电类型为N型、第二导电类型为P型；所述DDDMOS器件为P型时，第一导电类型为P型、第二导电类型为N型。

6.如权利要求4所述的DDDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述步骤三中掺杂剂量为1E13/cm³。

7.如权利要求3所述的DDDMOS器件的制造方法，其特征在于，在干法刻蚀时，使形成的图形覆盖漂移区。

8.如权利要求3-7中之一所述的DDDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述DDDMOS器件为25V的DDDMOS器件。