技术总结
本发明公开了一种DDDMOS器件，包括：一硅衬底；形成于所述硅衬底上的一第一导电类型埋层；形成于所述第一导电类型的埋层上的一第一导电类型外延层；形成于所述第一导电类型外延层上的漂移区，所述漂移区内包括第一导电类型重掺杂区；形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型阱区，该第二导电类型阱区相邻于所述漂移区，所述第二导电类型阱区内形成有第一导电类型重掺杂区以及第二导电类型重掺杂区；形成于所述第二导电类型阱区以及所述漂移区上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅与所述第二导电类型阱区以及所述漂移区之间形成有栅氧化层,所述栅极多晶硅覆盖所述漂移区。本发明能提高DDDMOS器件的导通击穿电压和降低导通电阻。
技术研发人员：刘冬华
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610675008
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2016.12.14