技术总结
本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层，所述P型GaN层上设置有透明电极层，所述透明电极层为ITO，所述透明电极层上开设有多个微孔。本发明提供的紫外LED倒装芯片在ITO层上开设有多个微孔，紫外光可通过微孔透射出去，减少ITO对紫外光的吸收，使利用紫外光的LED芯片能有效发挥作用。
技术研发人员：易翰翔;罗长得;武杰;郝锐
受保护的技术使用者：广东德力光电有限公司
文档号码：201610739702
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2016.11.16