技术总结
本发明公开了一种功率芯片用外延片生产工艺，包括以下步骤：步骤1、清洗衬底硅片；步骤2、将清洗后的硅片放入气相生长装置内，并将气相生长装置抽真空；步骤3、向气相生长装置内输入硅烷与磷烷的混合气体；步骤4、加热，并使气相生长装置内部温度维持在580℃～630℃，待硅片上淀积外延层厚度达到0.3～0.4μm时，停止加热；步骤5、采用氮气冲洗气相生长装置内部腔体，然后静置气相生长装置直至其内部温度降至室温，取出硅外延片成品。本发明整体工序简单，便于操作，成本低，且应用时能提升硅外延片的厚度均匀性和电阻率均匀性。
技术研发人员：王作义;胡宝平;陈小铎;崔永明;马洪文;白磊
受保护的技术使用者：四川广瑞半导体有限公司
文档号码：201610762782
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.12.21