技术总结
本发明公开了一种叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。该器件自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)、SiN钝化层(7)、栅介质层(8)和SiN保护层(9)，GaN缓冲层(3)的两端设有源电极(10)和漏电极(11)，栅介质层(8)的中间设有栅电极(12)，源电极(10)和漏电极(11)上设有金属互联层(13)，栅介质层(8)采用由AlN介质插入层(81)和高k介质层(82)组成的叠层结构，本发明改善了器件的界面特性和栅控能力，提高了可靠性，可用作高效微波功率器件。
技术研发人员：祝杰杰;马晓华;郝跃;杨凌;侯斌
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201610808661
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2016.12.14