技术总结
本发明提供一种沟槽栅IGBT，在IE型沟槽IGBT中，在单元区域内，交替或者梳齿状地配置实际与发射电极相连接的有源单元以及具有浮置P体区的待用单元，由此构成为在半导体衬底的装置主面侧容易累积空穴。但是，当要使IE型沟槽IGBT中的传导率调制进一步加快以及使装置简单化而扩大待用单元的宽度时，耐压迅速地下降。在本申请的发明中，在IE型沟槽IGBT中，构成单元区域的各线状单位单元区域主要由线状有源单元区域以及线状待用单元区域构成，该线状有源单元区域在其长度方向上，被分割为具有发射区域的有源区以及待用区。
技术研发人员：松浦仁;中泽芳人
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201610900600
技术研发日：2012.05.15
技术公布日：2016.12.14