1.减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，该工艺方法依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀，使基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。
2.根据权利要求1所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法依次包括底膜预处理、一次匀胶、一次前烘、一次曝光、一次显影、一次坚膜、二次匀胶、二次前烘、二次曝光、二次显影、显检、二次坚膜、湿法腐蚀、腐检和去胶。
3.根据权利要求2所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法还包括去胶后进行完工检验。
4.根据权利要求1所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法依次包括：
底膜预处理，将基片进行氧化处理，形成氧化层；
一次匀胶，将光刻胶一涂覆于基片上；
一次前烘，将一次匀胶后的基片烘烤一定时间；
一次曝光，用掩膜板掩蔽，紫外线曝光一定时间；
一次显影，将一次曝光后的基片浸入显影液中显影；
一次坚膜，将一次显影后的基片在一定温度下烘烤一定时间；
二次匀胶，将光刻胶二涂覆于一次坚膜后的基底上；
二次前烘，将二次匀胶后的基片烘烤一定时间；
二次曝光，用掩膜板掩蔽，紫外线曝光一定时间；
二次显影，将二次曝光后的基片浸入显影液中显影；
显检，将二次显影后的基片目检或/和镜检，留下合格品；
二次坚膜，将二次显影后的基片在一定温度下烘烤一定时间；
湿法腐蚀，使用腐蚀液将二次坚膜后的的基片进行腐蚀，后冲水处理；
腐检，将湿法腐蚀后的基片镜检；
去胶，将腐检后的基片放入去胶液中去胶，得到产品。
5.根据权利要求1或4所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述一次光刻的光刻胶一和二次光刻的光刻胶二型号不同。
6.根据权利要求1或4所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述一次光刻的光刻胶一的粘度高于二次光刻的光刻胶二的粘度。
7.根据权利要求4所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述一次坚膜的时间比二次坚膜的时间短。
8.根据权利要求4所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述一次曝光与二次曝光所用的掩膜板相同，所述掩膜板为引线孔版。
9.根据权利要求4所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，所述基片为硅基片，底膜处理形成的氧化层为二氧化硅层，所述光刻胶一为BN308光刻胶，所述光刻胶二为RFJ220光刻胶。
10.一种应用于半导体分立器件芯片制造的光刻工艺方法，其特征在于，包含权利要求1-9任意一项所述的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法。