1.一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在柔性衬底上沉积一层导电薄膜形成源区和漏区；
在所述源区和所述漏区上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成有源层；
在所述有源层上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成绝缘层；
在所述绝缘层上沉积形成栅极，在栅极沉积形成过程中分两次进行，第一次沉积厚度为20nm～200nm，第二次沉积厚度为200nm～1μm；
在栅极形成后进行O2退火，退火温度为200℃～600℃。
2.根据权利要求1所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，通过调控第一有源区和第二有源区的长度来减小有源层的面积。
3.根据权利要求2所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，所述第一有源区的长边左右对称设置，左边和右边的长度为5～20μm。
4.根据权利要求2所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，所述第二有源区的长边左右对称设置，左边和右边的长度为2～5μm。
5.根据权利要求1所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，所述第一次沉积栅极厚度为100nm，第二次沉积栅极厚度为200nm，O2退火温度为400℃。
6.根据权利要求1所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，所述第一次沉积栅极厚度为100nm，第二次沉积栅极厚度为400nm，O2退火温度为400℃。
7.根据权利要求1所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，所述第一次沉积栅极厚度为100nm，第二次沉积栅极厚度为400nm，O2退火温度为600℃。
8.根据权利要求1所述的调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，其特征在于，第一次沉积和第二次沉积均采用磁控溅射法。