技术总结
本发明提供了一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，包括以下步骤：在柔性衬底上沉积一层导电薄膜形成源区和漏区；在所述源区和所述漏区上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成有源层；在所述半导体有源层上沉积一层金属氧化物薄膜，并刻蚀形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成栅极，在栅极沉积形成过程中分两次进行，第一次沉积厚度为20nm～200nm，第二次沉积厚度为200nm～1μm；在所述反相器栅极形成后进行O2退火，退火温度为200℃～600℃。本发明提供一种调控金属氧化物薄膜晶体管反相器阈值电压的方法，目的在于通过改变栅极厚度和金属氧化物半导体有源层面积的方式得到具有较大差异的阈值电压，从而实现对阈值电压的调控。
技术研发人员：陆晓青
受保护的技术使用者：杭州潮盛科技有限公司
文档号码：201610986732
技术研发日：2016.11.09
技术公布日：2017.03.15