1.一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在玻璃基底上以800-4000转/秒的转速旋涂一层光刻胶薄膜，利用双光束干涉法在薄膜上曝光n次，n次干涉图案的周期分别为A1、A2……An，n个光栅平行叠加到一起，n大于等于2；
(2)将曝光后的样品显影，显影后拍频结构显现出来；
(3)在步骤(2)带有拍频结构的样品上以800-4000转/秒旋涂一层有机半导体薄膜，有机半导体溶解在有机溶剂中，有机半导体在有机溶剂中的浓度10-30mg/ml；激光器制备完成。
2.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，基底选自玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、石英片或者硅片、PET。
3.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，有机溶剂为二甲苯、甲苯、氯苯中的一种,有机半导体选自F8BT、PFO、MEH-PPV。
4.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，有机半导体溶液的浓度10-30mg/ml。
5.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，A1、A2、A3……An周期均选自270nm-400nm中的值，A1、A2、A3……An不同。
6.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，采用两次曝光或三次曝光，A1、A2、A3采用350nm、362nm、374nm。
7.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，双光束干涉法光路：激光器(1)发出的激光经由扩束用透镜组(3)后变成扩束的平行光束，扩束的平行光束经由一个或多个第一介质膜全反镜(2)后，再经过分束镜(4)将激光分为两束激光，两束激光分别经由第二介质膜全反镜(2’)反射的激光共同作用于待加工的样品(5)上。
8.按照权利要求1所述的一种基于拍频结构的有机半导体DFB激光器件制备方法，其特征在于，曝光两次，所得激光器经泵浦源泵浦，发出双波长激光，激光光斑由多条激光线构成；
如果在上述1)中曝光三次，制成三光栅拍频结构激光器件，在泵浦时，器件发射三波长激光。
9.基于拍频结构的分布反馈式聚合物激光器，其特征在于，拍频结构即至少两个不同周期的光栅平行叠加到一起形成调制深度周期规律变化的图样，拍频结构上均匀涂有F8BT、PFO或MEH-PPV有机半导体薄膜。
10.基于拍频结构的分布反馈式聚合物激光器，其特征在于，F8BT、PFO、MEH-PPV的有机半导体薄膜的厚度优选为100nm-600nm。