技术总结
本发明涉及一种氧化锌‑氧化镨薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明利用射频磁控溅射方法，以烧结氧化锌陶瓷或复合氧化锌陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电基片上沉积得到低电阻率的氧化锌薄膜，然后将其埋入氧化镨粉末中进行热浸，获得氧化锌‑氧化镨薄膜压敏电阻。这种薄膜压敏电阻器非线性性能优异、压敏电压可控、漏电流小、抗冲击老化和高温老化，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。该方法薄膜沉积和热浸条件温和，工艺参数严格可控、可重复性好，可在大面积基片上获得组成、结构和厚度均匀的薄膜器件，适合规模化生产。
技术研发人员：彭志坚;王杨;王琪;符秀丽
受保护的技术使用者：中国地质大学（北京）
文档号码：201611030553
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.02.22