技术总结
本发明提供一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管及制备方法，该光电二极管包括衬底，所述衬底上依次生长有n型AlGaN外延层、p型AlGaN外延层和p型GaN接触层；所述n型AlGaN外延层上设有n型接触电极，所述p型GaN接触层上设有p型接触电极。本发明只采用电子作为有源载流子的高速、高速饱和输出，使得紫外光电二极管具备了高响应速率和高速饱和电流，同时获得了高量子效率，并减少了紫外光电二极管的损耗等特点；而且制作工艺简单、成本低、易于实现。
技术研发人员：范鑫烨;白成林;张霞;房文敬;王欢欢;王秋国
受保护的技术使用者：聊城大学
文档号码：201611052134
技术研发日：2016.11.24
技术公布日：2017.02.15