1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括传送门晶体管区；
形成横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；
在所述传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区，且至少一侧的传送门掺杂区采用对所述鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述传送门晶体管区为NMOS区域；
所述传送门掺杂区的掺杂离子为N型离子。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用对所述鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成所述传送门掺杂区的步骤包括：至少对所述传送门晶体管区栅极结构一侧的鳍部进行N型离子注入工艺。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型离子注入工艺的参数包括：注入的离子为P离子和As离子，注入的离子能量为1KeV至4KeV，P离子的注入剂量为1E15atom/cm2至2E15atom/cm2，As离子的注入剂量为1E15atom/cm2至4E15atom/cm2。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用对所述鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成所述传送门掺杂区的步骤中，仅对所述传送门晶体管区栅极结构一侧的鳍部进行离子掺杂工艺，在所述传送门晶体管区栅极结构一侧的鳍部内形成传送门掺杂区；
在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成传送门掺杂区的步骤包括：采用外延层方式，在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成传送门外延层；在所述传送门外延层内形成所述传送门掺杂区。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成所述传送门掺杂区的工艺为原位掺杂的选择性外延工艺；
在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成所述传送门掺杂区的步骤包括：在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成传送门外延层，且在形成所述传送门外延层的工艺过程中原位自掺杂N型离子。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内形成所述传送门掺杂区的步骤中，所述传送门掺杂区的材料为掺杂有P离子的Si，所述传送门掺杂区的P离子浓度为1E20atom/cm3至2E21atom/cm3。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述传送门晶体管区包括沿垂直于鳍部延伸方向相邻的第一传送门晶体管区和第二传送门晶体管区；
形成栅极结构的步骤中，位于所述第一传送门晶体管区的栅极结构横跨所述第一传送门晶体管区的鳍部，位于所述第二传送门晶体管区的栅极结构横跨所述第二传送门晶体管区的鳍部；
在所述传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区的步骤中，在所述第一传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成所述传送门掺杂区，且仅所述第一传送门晶体管区栅极结构一侧的传送门掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成；
在所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区的步骤包括：采用外延层方式，在所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成横跨所述鳍部的栅极结构后，在所述第一传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成所述传送门掺杂区之前，所述形成方法还包括：在所述传送门晶体管区鳍部的顶部和侧壁上形成N区掩膜层；
采用外延层方式，在所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区的步骤包括：刻蚀位于所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部顶部上、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部顶部上的N区掩膜层，暴露出所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧鳍部的顶部表面、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧鳍部的顶部表面，且还刻蚀所述第一传送门晶体管区和第二传送门晶体管区部分厚度的鳍部，在所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧的鳍部内、以及所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成N区凹槽；在所述N区凹槽内形成传送门外延层；在所述传送门外延层内形成所述传送门掺杂区。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括传送门晶体管区；
横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；
传送门掺杂区，位于所述传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内；
其中，至少所述栅极结构一侧的传送门掺杂区为位于所述鳍部内的非外延层掺杂区。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述传送门晶体管区为NMOS区域；
所述传送门掺杂区内具有N型离子。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述传送门掺杂区为非外延掺杂区，所述传送门掺杂区的掺杂离子为P离子和As离子，P的掺杂浓度为1E15atom/cm2至2E15atom/cm2，As的掺杂浓度为1E15atom/cm2至4E15atom/cm2。
13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，位于所述传送门晶体管区栅极结构一侧鳍部内的传送门掺杂区为非外延层掺杂区；
位于所述传送门晶体管区栅极结构另一侧鳍部内的传送门掺杂区为外延层掺杂区。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，为外延层掺杂区的所述传送门掺杂区材料为SiP，所述传送门掺杂区的P离子浓度为1E20atom/cm3至2E21atom/cm3。
15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述下拉晶体管区包括沿垂直于鳍部延伸方向相邻的第一传送门晶体管区和第二传送门晶体管区；
位于所述第一传送门晶体管区的栅极结构横跨所述第一传送门晶体管区的鳍部，位于所述第二传送门晶体管区的栅极结构横跨所述第二传送门晶体管区的鳍部；
位于所述第一传送门晶体管区栅极结构一侧鳍部内的传送门掺杂区为非外延掺杂区；
位于所述第一传送门晶体管区栅极结构另一侧鳍部内、以及位于所述第二传送门晶体管区栅极结构两侧鳍部内的传送门掺杂区为外延层掺杂区。
16.一种SRAM，其特征在于，包括如权利要求10至15任一项权利要求所述的半导体结构。