技术总结
一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，所述方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部，衬底包括传送门晶体管区；形成横跨鳍部的栅极结构，且栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；在传送门晶体管区栅极结构两侧鳍部内形成传送门掺杂区，且至少一侧的传送门掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。本发明至少一侧的传送门掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成，相比两侧均采用外延层方式形成传送门掺杂区的方案，本发明增加了后续金属硅化物与传送门掺杂区的接触电阻，使所形成传送门晶体管的开态电流减小；SRAM贝塔比与传送门晶体管开态电流大小成反比，因此使SRAM读取冗余度得到改善。
技术研发人员：李勇;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
文档号码：201611065220
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2018.06.05