技术特征：
技术总结
本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。
技术研发人员：高敏峰;杨敦年;刘人诚;林政贤;黄薰莹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.07.18