本申请涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术：
随着科技的发展，有机电致发光器件的应用范围越来越广。
其中，电子、空穴的再结合率(γ)是影响有机电致发光器件发光效率的一个重要因素。因此，使电子和空穴注入的更平衡，让γ值接近于1.0，是提高量子效率的最佳手段。但现在的有机电致发光器件中，空穴在发光层的数量比电子在发光层的数量多两个数量级，这导致了有机电致发光器件发光层具有较低空穴、电子的再结合率，因此降低空穴数量或提高电子注入能力是提高器件发光效率的解决手段。有机电致发光器件一般由基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极构成。
其中，电子注入层的作用是促进自由电子由阴极向电子传输层的注入，降低驱动电压，节省资源。现有技术中的有机电致发光器件的电子注入层的材质一般为碱金属化合物，如氧化锂、氧化锂硼、碳酸钾、碳酸铯等。由碱金属化合物制成的有机电致发光器件能够有效的降低驱动电压并提高器件电流效率。另一类常使用的电子注入层的材料为碱金属氟化物，如氟化锂LiF等，尤其是LiF/Al结构具有欧姆接触的特性降低了电子的注入势垒，提高了器件的效率和降低了器件的驱动电压。
但是碱金属较为活泼，不利于长时间保存，在真空蒸镀过程中容易产生絮状粉尘，这都严重影响了生产效率和产品良率。而且由于上述金属离子容易迁移至发光层，从而容易导致有机电致发光器件的发光中心猝灭。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法与装置，用以解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。
本申请实施例采用下述技术方案：
一种有机电致发光器件，包括电子注入层，所述电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物，其中，所述至少一种电子传输材料具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。
一种有机电致发光器件的制备方法，所述有机电致发光器件包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极，所述方法包括：
在所述基板上依次蒸镀上彼此层叠的所述阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，
其中，在蒸镀所述电子注入层时，采用混和蒸镀的方法蒸镀至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料，使得所述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料在蒸镀过程中，形成至少一种配位化合物，其中，所述至少一种电子传输材料具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本申请实施例提供的有机电致发光器件中的电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的配位化合物。其中，所述至少一种电子传输材料具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。
上述电子注入层包括的上述配位化合物的功函数较低，与电子传输层的LUMO能级相匹配，可以降低自由电子的注入势垒，减少自由电子由阴极向电子传输层注入的阻碍，因而可以促进自由电子由阴极向电子传输层的注入，降低驱动电压。另外，上述电子注入层包括的上述配位化合物性质较稳定，惰性金属离子与电子传输材料之间的络合作用较大，那么金属离子便不容易迁移至发光层，从而解决了现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本申请实施例提供的一种有机电致发光器件的具体结构示意图；
图2为本申请实施例提供的电压与电流密度关系图；
图3为本申请实施例提供的亮度与电流效率关系图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。
为了解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题，本申请实施例提供一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件可以为顶发射有机电子发光器件，也可为底发射有机电致发光器件，本申请实施例对此不进行任何限定。
本申请实施例提供的一种有机电致发光器件100的具体结构示意图如图1所示。该有机电致发光器件100可以包括基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107、阴极108、与阳极102相连的导线109以及与阴极108相连的导线110。
上述电子注入层107可以包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物，其中，所述至少一种电子传输材料具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。
上述至少一种惰性金属单质可以包括但不限于钛Ti、钒V、铬Cr、锰Mn、铁Fe、钴Co、镍Ni、铜Cu、锌Zn、锆Zr、铌Nb、钼Mo、锝Tc、钌Ru、铑Rh、铅Pd、银Ag、镉Cd、钽Ta、钨W、铼Re、锇Os、铱Ir、金Au、铂Pt或汞Hg中的至少一种。其中，上述惰性金属单质在空气中较稳定，且功函数均高于4.0V。需要说明的是，上述至少一种惰性金属单质中的一种可以与阴极108的材质相同，也可以不同，本申请实施例对此不进行任何限定。
优选的，至少一种惰性金属单质可以包括但不限于钴Co、镍Ni、铜Cu、钌Ru、银Ag、铱Ir、金Au或铂Pt中的至少一种。其中，该些惰性金属单质的配位能力较强，更容易与电子传输材料形成配位化合物，进而可以使得最终形成的配位化合物更加稳定。
上述至少一种电子传输材料对应的至少一种电子传输主体材料可以选自具有如结构式(1)至(12)的材料中的至少一种：
其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢基、烷基(-CnH2n+1)、共轭芳香基团，共轭杂环、甲氧基(-OCH3)、氨基及烷基取代的氨基(-NRxH2-x)、氰基(-CN)及氰基代烷基链(-CnH2n-CN)、卤族基(-X)及卤代烷基链、醛基和酮基(-CHO、-COR2)及甲醛基代烷基链(-CnH2n-CHO)、酯基(-COOR)及酯基代烷基链(-CnH2n-COOR)，或乙酰丙酮基(-COCH2COR)及乙酰丙酮基代烷基链(-CnH2n-COCH2COR)中的至少一种，所述共轭芳香基团为苯基(-Ph)、萘基或蒽基，所述共轭杂环为吡啶基(-Py)或喹啉基。
上述至少一种电子传输材料可选自具有如(2-1)至(9-1)的结构式的材料中的一种：
上述惰性金属单质与电子传输材料的体积比可以为1:99～99:1，或惰性金属单质与电子传输材料的质量比可以为1:99～99:1。
优选的，惰性金属单质与电子传输材料的质量比可为5:95～30:70。
例如，若惰性金属单质为银，电子传输材料为具备结构式(5-1)的电子传输材料，即4,7-二苯基-1，10-菲啰啉，那么银与4，7-二苯基-1，10-菲啰啉形成的配位化合物的结构式可以为：
上述有机电致发光器件100中的基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、阴极108、导线109以及导线110的材料，可以为现有技术的经常应用于有机电致发光器件中的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、与阳极相连的导线以及与阴极相连的导线的材料，此处不再进行赘述。
在本申请实施例中，电子注入层107包括的上述配位化合物的功函数较低，与上述电子传输层106的LUMO能级相匹配，可以降低自由电子的注入势垒，减少自由电子由阴极108向电子传输层106注入的阻碍，因而可以促进自由电子由阴极108向电子传输层106的注入，降低驱动电压。另外，上述至少一个惰性金属与上述至少一个电子传输材料自身各自呈现电中性，在采用混和蒸镀的方法在电子传输层106上蒸镀上至少一个惰性金属与上述至少一个电子传输材料时，上述至少一个惰性金属会失去电子，最终与上述至少一个电子传输材料形成呈现正电性的配位化合物。那么，电子注入层107中便存在自由电子。这便会增加向电子传输层106注入的自由电子的数量，从而可以提高电子注入效率。因此，上述配位化合物可以作为构成电子注入层的材料，可以起到电子注入层应该起到的作用。其中，上述电子注入层包括的上述配位化合物性质较稳定，惰性金属离子与电子传输材料之间的络合作用较大，那么金属离子便不容易迁移至发光层，从而可以降低现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率。
需要说明的是，当本申请实施例提供的有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件时，该顶发射有机电致发光器件除了可以降低现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率之外，还可以解决现有技术中的顶发射有机电致发光器件在使用过程中透光率逐渐降低的问题。具体的，现有技术中的一些顶发射有机电致发光器件的电子注入层的材质为活泼金属单质，但是活泼金属容易氧化，形成氧化物，其中，氧化物的透光度较低，该些顶发射有机电致发光器件的使用时间越长，活泼金属氧化的程度越高，形成的氧化物便越多，这便会使得该些顶发射有机电致发光器件在使用过程中透光率越来越低。而本申请实施例提供的顶发射有机电致发光器件的电子注入层的材料可为由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物，该电子注入层不包括活泼金属，因而在使用过程中不会氧化形成氧化物，从而不会使得顶发射有机电致发光器件在使用过程中透光率逐渐降低，因此，便可解决现有技术中的顶发射有机电致发光器件在使用过程中透光率逐渐降低的问题。
实施例1
实施例1可以以顶发射有机电致发光器件为例，所述顶发射有机电致发光器件可以以银Ag为反射金属层材料，以氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)为阳极材料，以4，4，4-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)为空穴注入层材料，以N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)-1，1'-联苯-4，4'-二胺(NPB)为空穴传输层材料，以4，4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)为发光层材料，其中，Ir(ppy)3在发光层中掺杂的质量百分比为15％，以4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)为电子传输层材料，以本申请实施例中的化学结构式为式(4-1)的物质与Ag形成的配位化合物为电子注入层的材料，其中，Ag在化学结构式为式(4-1)的物质中掺杂的质量百分比为5％，以Ag为半透明阴极材料。另外，上述顶发射有机电致发光器件的反射金属层的厚度为10纳米，透明阳极的厚度为15nm，空穴注入层的厚度为10纳米，空穴传输层的厚度为10纳米，发光层的厚度为30纳米，电子传输层的厚度为20纳米，电子注入层的厚度为10纳米，半透明阴极的厚度为10纳米。实施例1顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(4-1)：5％Ag(10nm)/Ag(10nm)
实施例2
实施例2提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(4-1)：10％Ag(10nm)/Ag(10nm)
实施例3
实施例3提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(4-1)：25％Ag(10nm)/Ag(10nm)
对比例1
对比例1提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(30nm)/Ag(10nm)
对比例2
对比例2提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/Mg(2nm)：Ag(8nm)/Ag(10nm)
其中，需要说明的是，上述实施例1、实施例2、实施例3、对比例1、对比例2提供的顶发射有机电致发光器件的厚度均相同。
表一
如表一所示，对比例1中不使用电子注入层，阴极和电子传输层之间具有非常大的注入势垒，电子很难注入器件中，导致对比例1的驱动电压非常高；实施例1～3中结构式为式(4-1)的电子传输材料和不同浓度的惰性金属Ag混和蒸镀，其中，当Ag的质量分数在10％时，顶发射有机电致发光器件性能最好。其中，驱动电压越低、电子注入效率越高，说明顶发射有机电致发光器件性能越好。无论是驱动电压还是效率，实施例2的性能都优于对比例2，这说明结构式为式(4-1)的电子传输材料与惰性金属Ag形成的配位化合物的功函数较低，可以降低自由电子的注入势垒，减少自由电子由阴极向电子传输层注入的势垒，因而可以促进自由电子由阴极向电子传输层的注入，降低驱动电压。另外，由如图2所示的电压电流密度关系图，以及如图3所示的亮度与电流效率关系图可知，实施例2提供的顶发射有机电致发光器件的性能最好。其中，图2和图3中Ag用于表示电子注入层的材料为Ag的顶发射有机电致发光器件，图2和图3中Mg：Ag用于表示电子注入层的材料为镁银合金的顶发射有机电致发光器件，图2和图3中5％用于表示电子注入层的材料为质量百分比为5％的Ag与质量百分比为95％的式(4-1)对应的电子输入材料形成的配位化合物的顶发射有机电致发光器件，图2和图3中10％用于表示电子注入层的材料为质量百分比为10％的Ag与质量百分比为90％的式(4-1)对应的电子输入材料形成的配位化合物的顶发射有机电致发光器件，图2和图3中10％用于表示电子注入层的材料为质量百分比为25％的Ag与质量百分比为75％的式(4-1)对应的电子输入材料形成的配位化合物的顶发射有机电致发光器件。
实施例4
实施例4提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(2-3)：10％Ag(10nm)/Ag(10nm)
实施例5
实施例5提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(3-1)：10％Ir(10nm)/Ag(10nm)
实施例6
实施例6提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(4-3)：10％Co(10nm)/Ag(10nm)
实施例7
实施例7提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(4-10)：10％Pt(10nm)/Ag(10nm)
实施例8
实施例8提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(5-6)：10％Ru(10nm)/Ag(10nm)
实施例9
实施例9提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(5-10)：10％Ni(10nm)/Ag(10nm)
实施例10
实施例10提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(5-17)：10％Au(10nm)/Ag(10nm)
实施例11
实施例11提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(6-2)：10％Cu(10nm)/Ag(10nm)
实施例12
实施例12提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(7-1)：10％Ag(10nm)/Ag(10nm)
实施例13
实施例13提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(8-3)：10％Ni(10nm)/Ag(10nm)
实施例14
实施例14提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(8-4)：10％Pt(10nm)/Ag(10nm)
实施例15
实施例15提供的顶发射有机电致发光器件结构如下所示：
Ag(10nm)/ITO(15nm)/HATCN(10nm)/NPB(30nm)/CBP:15wt％Ir(ppy)3/Bphen(20nm)/式(9-1)：10％Cu(10nm)/Ag(10nm)
表二
如表二所示，实施例4～实施例15选择了本申请实施例中的不同结构式的电子传输材料和不同的惰性金属形成的配位化合物作为电子注入层，顶发射有机电致发光器件性能均比不使用电子注入层的器件对比例1性能好，说明不同的配位化合物都具有降低阴极与电子传输材料之间注入势垒，提高电子注入能力的作用。
为了解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭机率较高的问题，本申请实施例还提供一种有机电致发光器件的制备方法。需要说明的是，该制备方法可用于制备顶发射有机电致发光器件，也可用于制备底发射有机电致发光器件，本申请实施例对此不进行任何限定。
其中，上述有机电致发光器件可以包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极。该有机电致发光器件的制备方法如下所述：
在基板上依次蒸镀上彼此层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
上述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极的材料可以均为现有技术中常见的应用于有机电致发光器件中的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极的材料，并且制备有机电致发光器件中的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极的方法也可以为现有技术，因此，此处不再赘述制备上述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极的过程，只详细说明如何在电子传输层上蒸镀上电子注入层：
采用混和蒸镀的方法蒸镀至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料，使得所述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料在蒸镀过程中，形成至少一种配位化合物。
上述至少一种电子传输材料可以具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。
其中，上述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料，可为实施例1中提及的至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料，上述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料的质量比可参见实施例1中提及的质量比，此处不再进行赘述。另外，上述电子注入层的厚度可以为5纳米～30纳米。
需要特别说明的是，在基板上蒸镀完毕各个膜层之后，可以分别在阳极、阴极上连接上导线，并封装好。其中，阳极上连接的导线用于与电源正极连接，阴极上连接的导线用于与电源阴极连接。
在一种实施方式中，若使用上述制备方法来制备顶发射有机电致发光器件，为了使得制备出来的顶发射有机电致发光器件具备较好的性能，还可以在基板上依次蒸镀上彼此层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极之前，在基本上面蒸镀上金属反射层。需要说明的是，上述阳极可为透明阳极，上述阴极可为半透明阴极。
其中，上述金属反射层、透明阳极以及半透明阴极的材料可以均为现有技术中常见的应用于顶发射有机电致发光器件中的金属反射层、透明阳极以及半透明阴极的材料，制备顶发射有机电致发光器件中的金属反射层、透明阳极以及半透明阴极的方法也可以为现有技术，此处不再进行赘述。
另外，在基板上蒸镀完毕金属反射层、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及半透明阴极后，还可以在半透明阴极上面蒸镀上光学耦合层。上述光学耦合层的材料可以为现有技术中常见的应用于顶发射有机电致发光器件中的光学耦合层的材料，此处不再进行赘述。其中，半透明阴极电极由于高反射率，在顶发射有机电致发光器件中引入了微腔效应，导致了色坐标会随时间的变化而变化，影响了顶发射有机电致发光器的实用化。为了改善顶发射结构的光学耦合输出特性,在半透明阴极上方蒸镀光学耦合层，通过调节光学耦合层的厚度来调节微腔效应，有效地改善了半透明阴极的透射率,提高了顶发射有机电致发光器件的正向发光效率。
利用本申请实施例提供的有机电致发光器件制备方法所制备出的有机电致发光器件的电子注入层包括的配位化合物性质较稳定，惰性金属离子与电子传输材料之间的络合作用较大，金属离子便不容易迁移至发光层，从而便可解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。
利用本申请实施例提供的有机电致发光器件制备方法所制备出的有机电致发光器件，除了可以解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题外，还可以解决现有技术中的有机电致发光器件发光率较低、有机电致发光器件生产效率较低、良品率较低的问题。具体的，现有技术中的一些有机电致发光器件的电子注入层的材料为活泼金属单质、碱金属氧化物或者碱金属氟化物，由于活泼金属在电子传输层上面蒸镀该些电子注入层时，活泼金属不稳定，容易产生絮状粉尘，该些絮状粉尘便会附着于电子传输层上，导致制备出来的电子注入层不平整，这便会导致该有机电致发光器件发光率较低，并且会导致有机电致发光器件生产效率较低、良品率较低。而采用本申请实施例提供的有机电致发光器件的制备方法，在制备电子注入层时，采用混和蒸镀的方法蒸镀至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料，使得所述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料在蒸镀过程中，形成至少一种配位化合物。该至少一种配位化合物便为电子注入层的材料。由于至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料不是活泼金属，性质稳定，因此在蒸镀时不会产生絮状粉尘，也不会有絮状粉尘附着于电子传输层上，便不会导致电子注入层不平整，从而便解决了现有技术中的有机电致发光器件发光率较低的问题，同时便也解决了有机电致发光器件生产效率较低、良品率较低的问题。
本申请实施例提供的有机电致发光器件中的电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的配位化合物。其中，所述至少一种电子传输材料具有配位能力，且包含N^O和/或N^N杂环。上述电子注入层包括的上述配位化合物的功函数较低，与电子传输层的LUMO能级相匹配，可以降低自由电子的注入势垒，减少自由电子由阴极向电子传输层注入的阻碍，因而可以促进自由电子由阴极向电子传输层的注入，降低驱动电压。另外，上述电子注入层包括的上述配位化合物性质较稳定，惰性金属单质与电子传输材料之间的络合作用较大，那么金属离子便不容易迁移至发光层，从而解决了现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。