1.一种LED倒装芯片，包括：衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层上的反射层，所述外延层包括P型氮化镓层、发光层及N型氮化镓层，其特征在于：
所述反射层上形成有石墨烯阻挡层，N引线电极形成于贯穿所述石墨烯阻挡层、反射层、P型氮化镓层、发光层、直至N型氮化镓层表面的N电极孔内；
所述外延层的外露表面、石墨烯阻挡层的外露表面、衬底的外露上表面及N电极孔与N引线电极之间的间隙形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有相互绝缘的N焊盘与P焊盘，所述N焊盘与N引线电极形成导电连接，所述P焊盘与石墨烯阻挡层形成导电连接。
2.如权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征在于：所述石墨烯阻挡层的外露表面形成有P引线电极，所述绝缘层形成于所述外延层的外露表面、P引线电极的外露表面、衬底的外露上表面及N电极孔与N引线电极之间的间隙，所述P焊盘通过所述P引线电极与石墨烯阻挡层形成导电连接。
3.如权利要求1或2所述的LED倒装芯片，其特征在于：所述石墨烯阻挡层完全覆盖反射层的外露表面。
4.如权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征在于：所述石墨烯阻挡层为单层或多层石墨烯。