半导体元件的制作方法

文档序号:12121434阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型涉及半导体元件。根据实施例,半导体元件包括支撑件,支撑件具有第一器件接收结构和第二器件接收结构。由III‑N半导体材料配置的半导体器件耦合到支撑件,其中半导体器件具有相对的表面。第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸,第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸,并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸。第一接合焊盘耦合到第一器件接收部分,漏极接合焊盘耦合到第二器件接收部分,并且第三接合焊盘耦合到第三引线。根据另一种实施例,方法包括将包含III‑N半导体衬底材料的半导体芯片耦合到支撑件。

技术研发人员:P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫
受保护的技术使用者:半导体元件工业有限责任公司
文档号码:201620778054
技术研发日:2016.07.22
技术公布日:2017.03.22

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