技术总结
本实用新型涉及半导体元件。根据实施例，半导体元件包括支撑件，支撑件具有第一器件接收结构和第二器件接收结构。由III‑N半导体材料配置的半导体器件耦合到支撑件，其中半导体器件具有相对的表面。第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸。第一接合焊盘耦合到第一器件接收部分，漏极接合焊盘耦合到第二器件接收部分，并且第三接合焊盘耦合到第三引线。根据另一种实施例，方法包括将包含III‑N半导体衬底材料的半导体芯片耦合到支撑件。
技术研发人员：P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201620778054
技术研发日：2016.07.22
技术公布日：2017.03.22