技术特征：
技术总结
一种集成电路(IC)器件包括在第一类型区域中的第一类型(N型)的第一纳米线GAA有效晶体管(810)。第一有效晶体管可具有在有源部分中的第一类型功函数材料(824，NWFM)和低沟道掺杂剂浓度。该集成电路还包括第二纳米线GAA有效晶体管(810)，其使用与第一有效晶体管相同的纳米线沟道。该IC器件还包括在第一类型区域中的第一类型的第一隔离晶体管(结扎840)，其共享第一和第二有效纳米线GAA晶体管的纳米线。第一隔离晶体管(结扎840)被安排在第一和第二有效晶体管之间并且具有与相同纳米线上的有效晶体管的功函数相反的功函数(832PWFM)。此外，有效晶体管(P型)可使用并行纳米线来安排并且可具有第二类型功函数材料(834)。
技术研发人员：V·马赫卡奥特桑;M·巴达罗格鲁;J·J·徐;S·S·宋;C·F·耶普
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2017.10.17