1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括金属座(1)和固定于所述金属座(1)上的芯片(2)，所述芯片(2)的表面覆盖有绝缘保护膜(3)，所述芯片(2)的表面还设置有金属凸起(4)，所述金属凸起(4)与所述芯片(2)电连接且穿出所述绝缘保护膜(3)。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构为二极管封装结构或三极管封装结构，所述金属座(1)上也设置有金属凸起(4)，且所述金属座(1)上的所述金属凸起(4)与所述芯片(2)上的所述金属凸起(4)的顶端持平。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属座(1)上的所述金属凸起(4)由溅镀或3D打印形成。
4.如权利要求1-3任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜(3)从所述芯片(2)的表面延伸并覆盖所述金属座(1)的表面。
5.如权利要求1-3任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜(3)通过涂覆非固体材料后固化的方式形成，或所述绝缘保护膜(3)由固体软膜直接贴覆形成。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，当所述绝缘保护膜(3)通过涂覆非固体材料后固化的方式形成时，涂覆的材料为绿漆或液态环氧树脂。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘保护膜(3)由绿漆涂覆形成时，所述绿漆在所述金属凸起(4)对应的位置遮蔽后曝光固化，再将遮蔽区域蚀刻形成孔。
8.如权利要求1-3任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片(2)上的所述金属凸起(4)由锡膏印刷形成或设置锡球形成。
9.如权利要求1-3任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述芯片(2)上覆盖所述绝缘保护膜(3)后，在所述金属凸起(4)对应的位置激光打孔。
10.一种半导体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将芯片(2)固定于金属座(1)上；
S2：在所述芯片(2)和所述金属座(1)的表面覆盖绝缘保护膜(3)；
S3：在所述绝缘保护膜(3)的预定区域打孔；
S4：在孔内的芯片(2)上设置金属凸起(4)。