在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂。本发明提供了使用沉积含稀土金属膜(例如含钇膜)来掺杂半导体衬底的方法和退火技术。使用气体、液体或固体前体在没有偏置的情况下沉积含稀土金属的膜，并且可以保形地沉积。一些实施方式可以涉及使用等离子体的沉积。衬底可在小于约500℃的温度下退火。

技术研发人员：金润相;雷扎·阿哈瓦尼
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2017.09.12