场效应晶体管及其制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种场效应晶体管及其制作方法，所述场效应晶体管的制作方法通过在基底与源极、漏极之间形成一隔离层进行电学隔断，减小源极/漏极、隔离层和基底间的电容，可以提高其寄生晶体管开启电压，切断寄生晶体管电流通路，降低亚阈值摆幅，提高场效应晶体管的直流特性，从而提高场效应晶体管的性能。

技术研发人员：王文博
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2018.09.14