技术总结
本发明提供了一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法，电池结构由正面至背面依次包括：正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜；电池正面排布正面负极细栅线收集电子，并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的背面负极主栅线；电池背面的背面正极细栅线和背面正极主栅线分布于过孔电极以外的区域，且背面正极主栅线与背面正极细栅线相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线。
技术研发人员：赵科雄
受保护的技术使用者：乐叶光伏科技有限公司
文档号码：201710184611
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2017.06.20