技术特征：
技术总结
本发明提供能够形成热历程少的超结的结构的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具备：接触沟槽，其形成在2个栅极沟槽之间，贯穿源极区且其下端配置于基极区；以及第二导电型的突出部，在与接触沟槽的下端对置的区域，以向基极区的下端的下侧突出的方式形成，从源极区的上端起到突出部的下端为止的深度为3μm以上，在与深度方向垂直的横向与突出部邻接的第一导电型的区域的载流子浓度Nd和突出部的载流子浓度Na满足预定的算式。
技术研发人员：菅井勇;西村武义
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.11.24