技术特征：
技术总结
本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在碳化硅VDMOS器件的JFET区表面直接沉积多晶硅层形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成了一个二极管，优化了器件在逆变电路、斩波电路等领域中的应用。本发明与现有技术中直接采用VDMOS寄生碳化硅二极管相比更易实现正向导通，且具有较低的功率损耗、较快的工作速度以及较高的工作效率；本发明与现有技术中采用在器件外部反并联一个FRD相比，降低了器件使用数目，减少了器件之间的连线，有利于器件微型化发展；此外，本发明降低了栅宽，减少了栅电容，进一步提升了器件工作速度。因此，本发明提出的VDMOS器件在逆变电路、斩波电路等电路领域具有广阔的应用前景。
技术研发人员：张金平;邹华;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.06.09
技术公布日：2017.10.13