半导体装置封装的制作方法

文档序号:13319207阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

技术研发人员:李彗华;邱俊豪;谢慧英;陈国华;邱基综
受保护的技术使用者:日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日:2017.06.15
技术公布日:2017.12.29
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