技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽式晶体管结构及其制造方法，通过在衬底表面形成条形沟槽，利用沟槽侧壁及底部通过注入形成沟道层，并在沟槽内壁处形成栅电极介质层，在沟槽内填充栅电极材料形成栅电极，同时在沟道层外侧的沟槽条形两侧及底部通过注入形成围绕沟槽的环形源极、漏极，将传统在衬底之上形成栅电极的方式改进为在衬底中形成栅电极，可完全与平面CMOS工艺兼容，从而既能增强晶体管的性能，同时又避免了FINFET制作中复杂的非平面工艺，因此更易于工艺集成的简化和成本的降低。
技术研发人员：康晓旭
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2017.06.23
技术公布日：2017.11.07