技术特征：
技术总结
本发明公开了一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器，包括：提供第一衬底，并刻蚀出孔洞，沿第一衬底刻蚀有孔洞的表面往内的方向，孔洞的尺寸递减；沉积第一金属薄膜，第一金属薄膜为活性金属薄膜；在所述第一金属薄膜上生长环氧层和设置第二衬底；分离所述第一衬底和所述第一金属薄膜，其中，所述第一金属薄膜上形成有与所述孔洞对应的锥状结构；在所述第一金属薄膜上依次沉积氧化物阻变层材料和第二金属薄膜，以所述第一金属薄膜作为所述存储器的下电极，以所述第二金属薄膜作为所述存储器的上电极。本发明提供的方法，用以解决现有技术中阻变存储器存在的功耗高的技术问题。实现了降低阻变存储器工作电压和功耗的技术效果。
技术研发人员：龙世兵;张美芸;许晓欣;刘琦;吕杭炳;刘明
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.10.20