技术特征：
技术总结
本发明提供一种具有复合栅介质的栅控晶闸管，从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体外延层、金属化阴极；还包括第一导电类型半导体阱区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型半导体区、栅极结构；栅极结构由第一介质材料层、第二介质材料层以及位于两种介质材料层上表面的栅电极构成；第一介质材料层的厚度等于第二介质材料层的厚度，第一介质材料层的介电常数低于第二介质材料层；本发明减小了关断沟道的阈值电压，同时不影响导通时的阈值电压，提升了栅控晶闸管器件的可靠性。
技术研发人员：任敏;林育赐;何文静;苏志恒;李泽宏;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.08.17
技术公布日：2018.01.12