技术特征：
技术总结
本发明公开了掺杂区域的形成方法、薄膜晶体管及其制作方法，掺杂区域的形成方法包括：在基板上涂布第一光阻；对第一光阻进行光罩，形成第一离子掺杂区域，向所述第一离子掺杂区域注入具有第一能量值的离子；去除第二光阻，形成第三光阻；刻蚀第三光阻，形成第二离子掺杂区域，向所述第二离子掺杂区域注入具有第二能量值的离子，其中，所述第一能量值高于所述第二能量值。通过上述方法，减少了工艺步骤，降低了工艺的复杂性，因此能提高生产效率及产品质量。
技术研发人员：李莎莎;崔珠峰
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.09.15
技术公布日：2018.02.16