技术特征：
技术总结
本发明涉及功率半导体器件的高电压终止结构。功率半导体器件包括：半导体本体，被耦合至第一负载端子和第二负载端子并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；有源区，具有至少一个功率单元，至少一个功率单元至少部分延伸到半导体本体中且与第一负载端子电连接且包括漂移区的一部分，至少一个功率单元包括漂移区的区段并且被配置成在端子之间传导负载电流且阻断施加在端子之间的阻断电压；芯片边缘，在横向上终止半导体本体；以及非有源终止结构，被布置在芯片边缘和有源区中间且包括欧姆层，其中欧姆层：被布置在半导体本体的表面上；形成第一负载端子的电位和第二负载端子的电位之间的欧姆连接；以及在横向上沿着所述欧姆连接进行结构化。
技术研发人员：E.格里布尔;A.莫泽尔;M.普法芬莱纳;F.沃尔特
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2017.10.25
技术公布日：2018.05.01