技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体封装用银合金线及其制造方法，银合金线包括：含0‑1％钯的银合金线主体；以及在银合金线主体上涂敷的一层包含纳米钯钌银合金和稳定剂的复合膜。稳定剂优选采用高分子聚乙烯吡咯烷酮，复合膜的厚度在11‑18纳米之间。纳米钯钌银合金中纳米颗粒中的钌、钯、银的原子比为1：1：2，纳米钯钌银合金中钯、钌、银可以采用液体还原法还原钯盐、钌盐和银盐获得，其中含有钯、钌、银的纳米颗粒的大小在2‑15nm之间。本发明提供了一种低电阻率、低硬度、高可靠性的银合金线，能够在高端封装领域取代金线，并降低封装成本。
技术研发人员：周振基;周博轩;任智
受保护的技术使用者：汕头市骏码凯撒有限公司
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2018.04.20