纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对源物质进行加热使其在氮气或者氩气的保护气氛下蒸发；

通过载气将上述蒸发出的源物质输运到距离源物质20～30cm远的衬底上，在500～600℃加热20～60min，使所述源物质在所述衬底上成核、结晶从而生长得到所述纳米线状狄拉克半金属砷化镉。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源物质为纯度在99％以上的砷化镉固体粉末。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护气氛为氮气或氩气气氛。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为晶向为(001)的p型硅衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载气即为保护气体，气流大小为20～100sccm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源物质每次的用量为0.5～1.0g。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在降温过程中保持气体流速不变，而降温速率为每分钟5℃。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的制备方法制备得到的纳米线状狄拉克半金属砷化镉。

9.根据权利要求8所述的纳米线状狄拉克半金属砷化镉，其直径在25～50纳米左右，长度在10～50微米左右。