半导体发光器件的制作方法

技术特征：

1.一种半导体发光器件，其特征在于：包括

n型氮化物半导体层；

p型氮化物半导体层；

位于所述n型氮化物半导体层与所述p型氮化物半导体层之间，且当所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层通电时能够发光的活性层；

位于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间的电子阻挡层；

以及位于所述活性层与所述电子阻挡层之间的p型夹层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述电子阻挡层为掺杂有p型杂质的AlGaN或AlInGaN层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：所述p型杂质为Mg。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述p型夹层为MgN层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述n型氮化物半导体层为掺杂有n型杂质的Al_xIn_yGa_(1-x-y)N层，其中，0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述p型氮化物半导体层为掺杂有p型杂质的Al_xIn_yGa_(1-x-y)N层，其中，0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述活性层为In_aGa_1-aN层，其中，0≤a≤1。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述活性层为量子阱层InGaN和量子阻挡层GaN相互堆叠的多重量子阱结构。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述p型氮化物半导体层上还设置有透明导电层，且n型氮化物半导体层的裸露部分和透明导电层上各设置有n-电极和p-电极。