一种芯片封装结构的制作方法

文档序号:11376208阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

半导体衬底,衬底上具有若干源极;

聚酰亚胺层,覆盖在半导体衬底表面,并露出所述源极;

第一金属层,形成于每个源极表面;

第二金属层,形成于第一金属层和聚酰亚胺层构成的上表面;

铜层,形成于所述第二金属层表面;

焊料凸点,形成于所述铜层表面。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属层的上表面不超过所述聚酰亚胺层的上表面。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属层上表面与聚酰亚胺层上表面齐平。

4.根据权利要求1或3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属层的材料包括Au。

5.根据权利要求1或3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二金属层的材料包括Au。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述焊料金属包括铅、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。

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