技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧。
技术研发人员：陆阳;黄必亮;周逊伟
受保护的技术使用者：杰华特微电子(杭州)有限公司
技术研发日：2015.02.13
技术公布日：2018.05.18