技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述沟道层和所述势垒层依次层叠在所述衬底上，所述源极、所述漏极和所述栅极分别设置在所述势垒层上，所述源极和所述漏极均与所述势垒层形成欧姆接触，所述栅极与所述势垒层形成肖特基接触；所述沟道层包括第一子层和插入在所述第一子层中的第二子层，所述第一子层为未掺杂的GaN层，所述第二子层为Au/Ag纳米颗粒层。本发明通过在未掺杂的GaN层中插入Au/Ag纳米颗粒层，有利于沟道层(GaN)和势垒层(AlGaN)的异质结界面处形成有高浓度、高迁移率的二维电子气。
技术研发人员：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.04.19