一体成型式片状电极的制作方法

文档序号:15443345发布日期:2018-09-14 23:03阅读:146来源:国知局

本实用新型涉及片状电极技术领域,特别是涉及一种一体成型式片状电极。



背景技术:

目前,对于柱状的薄膜电容,需要用到片状电极,使得薄膜电容的电极端通过导线连接片状电极,而片状电极伸到电容器盒子之外,如此,便可以方便将电容器的片状电极焊接到电路中去。

但是这种结构的电容器,由于需要先焊接电极,然后再用导线连接片状电极,最后将片状电极利用灌注胶体的方式定位到外壳外部,这种方式,生产过程复杂,不利于生产效率的提高。且导线本身寿命短,容易出问题。

因此,需要提供一种一体成型式片状电极以解决上述技术问题。



技术实现要素:

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种一体成型式片状电极,将片状电极进行巧妙设计,其一端可以直接焊接在电容器上,另一端伸到电容器外壳之外且可以实现定位。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是提供一种一体成型式片状电极,包括第一板1、第二板2、第三板3、第四板4、尾板5,第二板2的第一端面连接第一板1、与第一端面相对的第二端面连接第三板3,第三板3背向第二端面的一端朝向平行于第二端面的方向延伸形成侧端31,侧端31尾端背向第二板2直角弯折形成第四板4,第四板4尾端背向侧端31向外锐角弯折形成两条间隔并平行的尾板5,所述第一板1上设置有定位孔11。

优选,所述一体成型式片状电极的厚度为0.8mm。

优选,所述一体成型式片状电极采用镀锡黄铜片材质的。

优选,所述第二板2的两个侧端分别设置有背向第一板1弯折的限位耳21。

本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的一种一体成型式片状电极,将片状电极进行巧妙设计,其一端可以直接焊接在电容器上,另一端伸到电容器外壳之外且可以实现定位。

附图说明

图1是本实用新型的一种一体成型式片状电极的第一优选实施例的结构示意图;

图2是本实用新型的一种一体成型式片状电极的第二优选实施例的结构示意图;

图3是图1和图2所示的一体成型式片状电极的使用示意图。

具体实施方式

下面结合图示对本实用新型的技术方案进行详述。

请参见图1所示,本实施例的一体成型式片状电极10,包括第一板1、第二板2、第三板3、第四板4、尾板5,第二板2的第一端面连接第一板1、与第一端面相对的第二端面连接第三板3,第三板3背向第二端面的一端朝向平行于第二端面的方向延伸形成侧端31,侧端31尾端背向第二板2直角弯折形成第四板4,第四板4尾端背向侧端31向外锐角弯折形成两条间隔并平行的尾板5,所述第一板1上设置有定位孔11。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述一体成型式片状电极的厚度为0.8mm。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述一体成型式片状电极采用镀锡黄铜片材质的。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述第二板2的两个侧端分别设置有背向第一板1弯折的限位耳21。

请参见图2所示,本实施例的一体成型式片状电极10`,包括第一板1`、第二板2`、第三板3`、第四板4`、尾板5`,第二板2`的第一端面连接第一板1`、与第一端面相对的第二端面连接第三板3`,第三板3`背向第二端面的一端朝向平行于第二端面的方向延伸形成侧端31`,侧端31`尾端背向第二板2`直角弯折形成第四板4`,第四板4`尾端背向侧端31`向外锐角弯折形成两条间隔并平行的尾板5`,所述第一板1`上设置有定位孔11`。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述一体成型式片状电极的厚度为0.8mm。在本实用新型的一个优选实施例中,所述一体成型式片状电极采用镀锡黄铜片材质的。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述第二板2`的两个侧端分别设置有背向第一板1`弯折的限位耳21`。

请结合图3看图1和图2所示的一体成型式片状电极的使用方法,如图3所示,图1所示的一体成型式片状电极10是作为左电极使用,而图2所示的一体成型式片状电极10`是作为右电极使用的,在将电容器芯子7放入定位座20之后,将一体成型式片状电极10的第一板1和一体成型式片状电极10`的第一板1`分别插入到与之对应的电极限位槽中,一体成型式片状电极10和一体成型式片状电极10`放置稳定之后,尾板5和尾板5`分别接触电容器芯子的一端。然后就可以进行电极的焊接。焊接之后的电容器放置在盒子内进行树脂胶的灌注定型,其中,第一板1和第一板1`是伸出到盒子外面的,利用定位孔11和定位孔11`,便可以实现对整个电容器盒子的定位以及导线的连接。

本实用新型的一体成型式片状电极,由于一体成型,使得电容器本身不再实用导线进行连接,提高了电容器的使用寿命,降低了电容器的故障率,且便于安装定位。

以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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