1.一种复合荧光胶膜，其特征在于包括荧光膜以及与所述荧光膜结合的红外辐射膜，所述红外辐射膜的厚度为0.005μm～10000μm，所述荧光膜的厚度为0.005µm～10000µm，而所述复合荧光胶膜的厚度为0.010μm～10000μm；以及，所述荧光膜包括有机硅基体，所述有机硅基体中均匀分散有荧光颗粒物，其中所述荧光颗粒物是粒径为0.001～50μm的荧光粉，或者，所述荧光颗粒物是粒径为1.0～100 nm的荧光量子点；所述红外辐射膜包括基材及于所述基材中均匀分散的无机散热填料，所述无机散热填料的粒径为0.001μm～500μm。
2.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述复合荧光胶膜可使设定波长的光线透过；和/或，所述荧光膜或红外辐射膜的表面具有压敏胶功能；和/或，所述荧光膜与红外辐射膜一体设置。
3.如权利要求2所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述红外辐射膜的厚度为0.05μm~5000μm；和/或，所述荧光膜的厚度为20～500µm；和/或，所述复合荧光胶膜的厚度为0.05μm~5000μm。
4.如权利要求3所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述红外辐射膜的厚度为1μm~1000μm；和/或，所述复合荧光胶膜的厚度为1μm~1000μm。
5.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料包括二氧化钛颗粒、二氧化锆颗粒、氧化硅颗粒、氮化硼颗粒、氧化锌颗粒、氧化铝颗粒、氧化镁颗粒、云母颗粒、稀土金属氧化物颗粒中的任意一种或多种的组合。
6.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料的粒径为0.05μm~50μm。
7.如权利要求6所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料的粒径为0.5μm~10μm。
8.一种半导体发光装置的封装结构，其特征在于包括半导体发光器件以及权利要求1-7中任一项所述的复合荧光胶膜，所述复合荧光胶膜中的荧光膜或红外辐射膜与所述半导体发光器件结合。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述荧光膜或红外辐射膜与所述半导体发光器件的出光面直接结合；和/或，所述半导体发光器件包括LED。
10.根据权利要求8所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述半导体发光器件具有两个以上出光面，并且所述复合荧光胶膜覆盖所述半导体发光器件的所有出光面。
11.根据权利要求10所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述半导体发光器件具有五个出光面。
12.根据权利要求8所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述半导体发光器件具有一个出光面，所述出光面上覆盖有所述复合荧光胶膜。
13.根据权利要求12所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于还包括环绕所述半导体发光器件设置的反光结构，所述出光面设置在所述反光结构围合形成的空间之内或者从所述反光结构围合形成的空间中露出。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述出光面设置在所述反光结构围合形成的空间内，而覆盖在所述出光面上的复合荧光胶膜的表面从所述反光结构围合形成的空间中露出。
15.根据权利要求14所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述反光结构的至少局部内壁是在远离半导体发光器件的方向上逐渐向外倾斜设置的，并且在所述半导体发光器件与所述反光结构内壁的倾斜面之间填充有透明封装胶。
16.根据权利要求13所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述出光面从所述反光结构围合形成的空间中露出，所述复合荧光胶膜连续覆盖所述出光面及所述反光结构的至少局部的表面。
17.根据权利要求10-16中任一项所述的半导体发光装置的封装结构，其特征在于：所述半导体发光器件为倒装结构的半导体发光器件。
18.一种光源，其特征在于包括权利要求8-17中任一项所述的半导体发光装置的封装结构。