电极形成的制作方法

技术特征：

1.一种设备，其包括：

电极的第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)，其形成于存储节点(408、409、508、631)的电介质材料(106、206、306、406、506)上方；

金属氧化物(104、204、304、404、504)，其在所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)上方形成；及

所述电极的第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)，其形成于所述金属氧化物(104、204、304、404、504)上方。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极(102、202、302、402、502)是到作为电容器单元的存储节点(408、409、508、631)的氮化钛(tin)电极。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)是氧化铝(alox)。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)是氧化硅(siox)。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)形成到在所述顶部电极(102、202、302、402、502)的厚度的百分之十(10％)到百分之十五(15％)的范围中的厚度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)定位在所述顶部电极(102、202、302、402、502)的不同区域中。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电介质材料(106、206、306、406、506)是高介电常数(k)材料。

8.一种方法，其包括：

将电极的第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)沉积于到存储器单元的存储节点(408、409、508、631)的电介质材料(106、206、306、406、506)上方；

将金属氧化物(104、204、304-1、404、504)沉积于所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)上方；及

将所述电极的第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)沉积于所述金属氧化物(104、204、304-1、404、504)上方。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将作为顶部电极(102、202、302、402、502)的所述电极沉积到在0到40埃的范围中的厚度。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将所述金属氧化物(104、204、304、404、504)沉积到在0到的范围中的厚度。

11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用原子层沉积ald沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

12.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用原子层沉积ald的多个循环沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用共形沉积沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

14.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用化学气相沉积cvd沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

15.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括由锆基材料形成所述电介质(106、206、306、406、506)。

16.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括原位沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)以及沉积所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)及所述第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)。

17.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)原位沉积；

所述金属氧化物(104、204、304、404、504)非原位沉积；且

所述电极的所述第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)原位沉积。

18.一种系统，其包括：

存储器单元的存储节点(408、409、508、631)，所述存储节点(408、409、508、631)包括：

电介质材料(106、206、306、406、506)；

电极的第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)，其形成于所述电介质材料(106、206、306、406、506)上；

金属氧化物(104、204、304、404、504)，其形成于所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)上；及

所述电极的第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)，其形成于所述金属氧化物(104、204、304、404、504)上。

19.根据权利要求18所述的系统，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)为不连续层，其将所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)与所述电极的所述第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)分离。

20.根据权利要求18所述的系统，其中所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)的厚度小于所述顶部电极的所述第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)的厚度。

21.根据权利要求18所述的系统，其中所述存储节点(408、409、508、631)包括具有多个金属氧化物(104、204、304、404、504)层的电极。

22.根据权利要求18所述的系统，其中所述存储节点(408、409、508、631)经耦合到埋入式凹入存取装置brad。

技术总结
本发明描述与电极形成相关的设备、方法和系统。在存储节点的电介质材料上方形成顶部电极的第一部分。在所述电极的所述第一部分上方形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成所述电极的第二部分。

技术研发人员：A-J·B·程;B·D·克劳斯;S·S·克尔克;M·N·洛克莱;C·W·佩茨;R·比勒;金道俊
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.05.27
技术公布日：2021.01.12