一种半导体晶圆双膜切割设备的制作方法

本发明涉及晶圆涂膜领域，具体的是一种半导体晶圆双膜切割设备。

背景技术：

半导体晶圆双膜切割机主要是用于对半导体晶圆进行分切的设备，通过在半导体晶圆的底部贴两层划片膜，再通过半导体晶圆双膜切割机上的切割刀具对外划片膜进行切割，再使刀具对内划片膜进行切割，从而使晶圆底部能够出现划痕，最后再通过对晶圆进行施压，则能够对晶圆进行分切，基于上述描述本发明人发现，现有的一种半导体晶圆双膜切割设备主要存在以下不足，例如：

由于半导体晶圆双膜切割机的切割刀具是垂直向下对晶圆上的划片膜进行切割的，若晶圆的底部存在凹槽，则会使切割刀具划过划片膜时难以在凹槽内部留下划痕，从而导致晶圆在掰断时凹槽部位会出现不平整的情况。

技术实现要素：

针对上述问题，本发明提供一种半导体晶圆双膜切割设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆双膜切割设备，其结构包括切割机构、机体、操作台，所述操作台嵌固于机体的上端位置，所述切割机构与机体的后端相焊接；所述切割机构包括外框、承载架、切割刀具，所述外框贯穿于承载架的内部位置，所述切割刀具与外框的内部活动卡合。

作为本发明的进一步优化，所述切割刀具包括衔接杆、板面、重力块、下伸杆，所述衔接杆嵌固于板面的上端位置，所述重力块安装于下伸杆的内部位置，所述下伸杆与板面的内部活动卡合，所述重力块采用密度较大的铅金属材质。

作为本发明的进一步优化，所述下伸杆包括结合杆、固定块、下刀片、缓冲块，所述固定块与结合杆的下端活动卡合，所述下刀片嵌固于固定块的底部位置，所述缓冲块安装于结合杆的底部位置，所述缓冲块采用质地柔软的天然乳胶的材质。

作为本发明的进一步优化，所述下刀片包括减重槽、摆动板、中接板、弹力片，所述减重槽与摆动板为一体化结构，所述摆动板与中接板的边侧活动卡合，所述弹力片安装于摆动板的内侧与中接板之间，所述摆动板设有两个，且均匀在中接板的左右两侧呈对称分布。

作为本发明的进一步优化，所述摆动板包括板面、清除机构、收集槽，所述清除机构与收集槽为一体化结构，所述收集槽嵌入于板面的内部位置，所述收集槽设有三个，且均匀在板面的左侧呈平行分布。

作为本发明的进一步优化，所述清除机构包括过渡块、弹性条、底置板、外推板，所述过渡块与底置板活动卡合，所述弹性条安装于过渡块的内壁与底置板之间，所述外推板嵌固于过渡块的外侧位置，通过机构向外摆动产生的甩力，能够使外推板在过渡块的配合下沿着底置板向外滑动伸出。

作为本发明的进一步优化，所述外推板包括内固板、回扯片、透气板，所述透气板通过回扯片与内固板的左侧相连接，所述透气板上设有内外通透的孔。

本发明具有如下有益效果：

1、当下伸杆切至晶圆底部的凹槽上，通过重力块对下伸杆施加的压力，能够使下伸杆沿着板面向下滑动伸出，从而使下伸杆能够伸入晶圆凹槽内部，从而使下刀片能够对晶圆凹槽进行切割，有效的避免了切割刀具无法对晶圆存在的凹槽进行切割的情况。

2、通过下刀片在对晶圆凹槽进行切割时会使晶圆粉末向上飘起，从而使收集槽能够对飘起下下落的晶圆粉末进行收集，有效的避免了下刀片在对晶圆凹槽进行切割时产生的晶圆粉末会将晶圆凹槽内壁底部切割出的划痕填满，导致晶圆不容易完整分切的情况。

附图说明

图1为本发明一种半导体晶圆双膜切割设备的结构示意图。

图2为本发明切割机构侧视半剖面的结构示意图。

图3为本发明切割刀具侧视半剖面的结构示意图。

图4为本发明下伸杆侧视半剖面的结构示意图。

图5为本发明下刀片侧视半剖面的结构示意图。

图6为本发明摆动板侧视半剖面的结构示意图。

图7为本发明清除机构侧视半剖面的结构示意图。

图8为本发明外推板侧视半剖面的结构示意图。

图中：切割机构-1、机体-2、操作台-3、外框-11、承载架-12、切割刀具-13、衔接杆-a1、板面-a2、重力块-a3、下伸杆-a4、结合杆-a41、固定块-a42、下刀片-a43、缓冲块-a44、减重槽-b1、摆动板-b2、中接板-b3、弹力片-b4、板面-c1、清除机构-c2、收集槽-c3、过渡块-c21、弹性条-c22、底置板-c23、外推板-c24、内固板-d1、回扯片-d2、透气板-d3。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

如例图1-例图5所展示：

本发明提供一种半导体晶圆双膜切割设备，其结构包括切割机构1、机体2、操作台3，所述操作台3嵌固于机体2的上端位置，所述切割机构1与机体2的后端相焊接；所述切割机构1包括外框11、承载架12、切割刀具13，所述外框11贯穿于承载架12的内部位置，所述切割刀具13与外框11的内部活动卡合。

其中，所述切割刀具13包括衔接杆a1、板面a2、重力块a3、下伸杆a4，所述衔接杆a1嵌固于板面a2的上端位置，所述重力块a3安装于下伸杆a4的内部位置，所述下伸杆a4与板面a2的内部活动卡合，所述重力块a3采用密度较大的铅金属材质，通过重力块a3能够对下伸杆a4产生压力，从而使重力块a3能够在失去物体表面挤压时沿着板面a2向下伸出。

其中，所述下伸杆a4包括结合杆a41、固定块a42、下刀片a43、缓冲块a44，所述固定块a42与结合杆a41的下端活动卡合，所述下刀片a43嵌固于固定块a42的底部位置，所述缓冲块a44安装于结合杆a41的底部位置，所述缓冲块a44采用质地柔软的天然乳胶的材质，通过缓冲块a44能够对下刀片a43收缩的力的进行缓冲。

其中，所述下刀片a43包括减重槽b1、摆动板b2、中接板b3、弹力片b4，所述减重槽b1与摆动板b2为一体化结构，所述摆动板b2与中接板b3的边侧活动卡合，所述弹力片b4安装于摆动板b2的内侧与中接板b3之间，所述摆动板b2设有两个，且均匀在中接板b3的左右两侧呈对称分布，通过晶圆凹槽内壁对减重槽b1产生的挤压，能够使减重槽b1沿着中接板b3向中部摆动，从而能够避免减重槽b1直接与凹槽的内壁产生摩擦。

本实施例的详细使用方法与作用：

本发明中，通过切割机构1对外框11内部通入压缩空气，能够使切割刀具13沿着外框11向下伸出，对晶圆上的划片膜进行切割，当下伸杆a4切至晶圆底部的凹槽上，通过重力块a3对下伸杆a4施加的压力，能够使下伸杆a4沿着板面a2向下滑动伸出，从而使下伸杆a4能够伸入晶圆凹槽内部，再通过晶圆凹槽的内壁底部对下刀片a43产生的反推力，能够使下刀片a43在固定块a42的配合下沿着结合杆a41向上滑动收缩，从而使缓冲块a44能够对下刀片a43收缩的力进行缓冲，从而使下刀片a43不会直接将晶圆压断，再通过晶圆凹槽的内壁对摆动板b2产生的挤压，能够能够使减重槽b1沿着中接板b3向中部摆动，从而能够避免减重槽b1直接与晶圆凹槽的内壁产生摩擦，从而使下刀片a43能够对晶圆凹槽进行切割，有效的避免了切割刀具13无法对晶圆存在的凹槽进行切割的情况。

实施例2

如例图6-例图8所展示：

其中，所述摆动板b2包括板面c1、清除机构c2、收集槽c3，所述清除机构c2与收集槽c3为一体化结构，所述收集槽c3嵌入于板面c1的内部位置，所述收集槽c3设有三个，且均匀在板面c1的左侧呈平行分布，通过收集槽c3能够对晶圆凹槽内部的晶圆粉末进行收集。

其中，所述清除机构c2包括过渡块c21、弹性条c22、底置板c23、外推板c24，所述过渡块c21与底置板c23活动卡合，所述弹性条c22安装于过渡块c21的内壁与底置板c23之间，所述外推板c24嵌固于过渡块c21的外侧位置，通过机构向外摆动产生的甩力，能够使外推板c24在过渡块c21的配合下沿着底置板c23向外滑动伸出，从而使外推板c24能够将其表面的晶圆粉末抖落。

其中，所述外推板c24包括内固板d1、回扯片d2、透气板d3，所述透气板d3通过回扯片d2与内固板d1的左侧相连接，所述透气板d3上设有内外通透的孔，通过机构向外伸出，能够使透气板d3在回扯片d2的配合下向外伸出，且通过回扯片d2能够快速拉动透气板d3进行复位，从而使透气板d3能够向外挤出气流对残留在其表面的晶圆粉末进行吹除。

本实施例的详细使用方法与作用：

本发明中，由于下刀片a43在对晶圆凹槽进行切割使会产生的晶圆粉末，若不及时进行清理，则会使晶圆粉末将晶圆凹槽内壁底部切割出的划痕填满，导致晶圆不容易完整分切的情况，通过下刀片a43在对晶圆凹槽进行切割时会使晶圆粉末向上飘起，从而使收集槽c3能够对飘起下下落的晶圆粉末进行收集，再通过下刀片a43离开晶圆粉末内部时弹力片b4推动摆动板b2向外摆动产生的甩力，能够使外推板c24在过渡块c21的配合下沿着底置板c23向外伸出，从而使a24能够将其表面的晶圆粉末抖落，再通过外推板c24向外伸出产生的惯性力，能够使透气板d3在回扯片d2的配合下向外伸出，再通过回扯片d2能够快速拉动透气板d3进行收缩，从而使透气板d3能够向外挤出气流对其表面残留的晶圆粉末进行吹除，有效的避免了下刀片a43在对晶圆凹槽进行切割时产生的晶圆粉末会将晶圆凹槽内壁底部切割出的划痕填满，导致晶圆不容易完整分切的情况。

利用本发明所述技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。