专利名称：将半导体衬底对准底座台的方法及实施该方法的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子束对准的方法和装置，即通过电子束将半导体衬底与其上放置衬底的底座台对准的方法和装置，特别涉及用电子束在半导体衬底上直接形成例如半导体集成电路的图形等电路图形的方法和装置。
半导体集成电路的领域里，制作如定制或半定制LSI等数量虽少但种类繁多的LSI已较容易地进行。为满足这种要求的制造工艺，已广泛采用电子束辐射装置。广泛采用电子束辐射装置的原因如下。电子束辐射装置与投影曝光装置不同，它不用掩模与原版。电子束辐射装置按照图形数据在半导体衬底上直接形成电路图形，因此可能通过制作掩模与原版生产周期而减少了生产周期。此外，由于节省了制作掩模与原版的费用，从而降低了制作半导体集成电路的总成本。
图1是一种常规电子束辐射装置的示意图。所示的电子束辐射装置包括主体1和样品室13。
主体1包括发射电子的电子枪11，加速电子枪11发射出的电子以形成电子束10的加速电压电源16，以及电子镜圆筒12，电子镜圆筒12包括电磁透镜，孔隙和电极，电极用于将电子束10聚焦于某一点，使电子束10瞄准目标，使电子束10指向所需的点，以及确定要辐射的电子束10的量。
样品室13包括支座21，它上面放置半导体衬底20，以及X-Y工作台15，它上面放置支座21，用于控制支座21的位置。利用工作台控制器33控制X-Y工作台15在X-和Y-轴方向的移动和旋转。主体1和样品室13装在隔振台5上，并通过真空泵4A，4B，和4C抽真空。
有关电路图形的数据存贮在数据存贮器2中。控制单元或计算机3从数据存贮器2接受有关电路图形数据，并按照接受的数据和预定的参数控制电子束10和X-Y工作台15，以便在半导体衬底20上形成电路图形。
在半导体衬底的表面的形成电路图形的操作重复多次，直至LSI完成。因此，将图形与下一个图形的对准是十分重要的。如果一个图形与下一个图形没适当对准，将导致所得LSI为不合格产品。
为了避免对不准，在半导体衬底20表面上至少形成有两个对准标记18。用由电子束偏转控制电路31控制的电子束10连续扫描标记18。利用反射电子探测器17探测对准标记18反射的电子束22，然后反射电子探测器17发射信号给信号处理器32。信号处理器32分析所接收的信号，并发射对准标记18位置的指示信号指示给计算机3。电子束偏转控制电路31发射电子束10扫描方向的指示信号给计算机3。工作台控制器33发射X-Y工作台15位置的信号指示给计算机3。
根据电子束偏转控制电路31、信号处理器32和工作台控制器33发射的这些信号，计算机3识别对准标记18的位置，并且计算X-Y工作台15的X-Y坐标系与半导体衬底20的X-Y坐标系的X与Y坐标之间的间距，以及两个X-Y坐标系之间的角间距。计算机3控制工作台控制器33，而工作台控制器33控制X-Y工作台15，以此补偿这样计算的X与Y坐标的间距和角间距。由此，便可以在半导体衬底20的所要求位置形成电路图形。
综上所述，通过采用对准标记作参考，可以在所要求位置形成一个电路图形，并且电路图形可以与下一个电路图形对准。
上述X-Y工作台15与半导体衬底20的X-Y坐标系的X与Y坐标之间的间距以及两个X-Y坐标系之间的角间距的测定按如下进行。采用20kV至50kV加速电压加速电子束10，用这样加速的电子束10连续扫描对准标记18。利用反射电子探测器17，俘获对准标记18反射的电子束22。然后，计算机3根据反射电子探测器17发出的信号，通过信号处理器32确定对准标记18的位置，随后根据这样确定的标记18的位置，计算上述间距。
如前所述，为了确定X-Y工作台15的X-Y坐标系与半导体衬底20的X-Y坐标系的X与Y坐标之间的间距，以及两个X-Y坐标系之间的角间距，上述常规电子束辐射装置用电子束至少扫描两个对准标记。
如图1所示，对准标记18之间彼此是分开的。因此，计算机3通过电子束10扫描识别第一个对准标记后，计算机3移动X-Y工作台15，使电子束10向第二个对准标记辐射。
然而，由于移动底座台15需要时间，因此电子束辐射装置处理芯片的能力大大降低。以下将参照图2对此问题进行详细讨论，图2部分说明了放在X-Y工作台15上的半导体衬底20的表面。
参见图2，半导体器件40是在半导体衬底20上制作的。半导体器件40有X’-Y’坐标系。在半导体器件40上，在原点即X’-Y’坐标系中的(0，0)坐标处形成第一个对准标记13A，而第二个对准标记13B形成在X’-Y’坐标系的坐标(X1，0)处。放置半导体器件40的X-Y工作台15有X-Y坐标系。
由于半导体衬底20外形的分散及放在X-Y工作台15上的半导体衬底20精度方面的分散，半导体器件40相关的X’-Y’坐标系与底座台15的坐标系X-Y一般是对不准的。因此，由电子束10扫描对准标记13A和13B，以便确定它们位置。根据对准标记13A和13B的这样确定的位置，可计算出半导体器件40的X’-Y’坐标系与X-Y平台15的X-Y坐标系的X与Y坐标之间的间距，以及X’-Y’坐标系与X-Y坐标系之间的角间距θ’。
首先，计算机3移动X-Y工作台15，以便第一个对准标记13A正好位于电子束10中。位于X’-Y’坐标系的坐标(0，0)处的第一个对准标记13A必须在X-Y坐标系的坐标(0，0)处。然而，如上所述，第一个对准标记13A一般不在X-Y坐标系的坐标(0，0)处。因此，由电子束10扫描第一个对准标记13A，确定它在X-Y坐标系的坐标(X0’，Y0’)。
这样，确定了半导体器件40的X’-Y’坐标系与X-Y工作台15的X-Y坐标系的X与Y坐标之间的间距。为了确定角间距θ’，必须确定第二个对准标记13B。
这样，计算机3移动X-Y工作台15，使第二个对准标记13B正好位于电子束10中。位于X’-Y’坐标系的坐标(X1，0)处的第二个对准标记13B必须在X-Y坐标系的坐标(X1，0)处。与第一个对准标记13A类似，由电子束10扫描第二个对准标记13B，确定它在X-Y坐标系的坐标为(X1’，Y1’)。
然后，计算3计算X’-Y’坐标系与X-Y坐标系间X轴方向的间距X0’，以及X’-Y’坐标系与X-Y坐标系Y轴方向的间距Y0’，于是角间距θ’＝tan-1[(Y1’-Y0’)/(X1-X0’)]。
在如图2所述的情况，对每个半导体器件都形成两个对准标记13A和13B。如果需要更精确的测量角间距θ’，那么要在半导体器件40的表面上形成三个或更多个的对准标记。
如果四个对准标记形成在半导体器件40的表面上，那么X-Y工作台15要移动三次。虽然这取决于器件的种类，但一般在半导体衬底上形成数十到数百个半导体器件。例如，在半导体衬底上形成百个半导体器件，每个半导体器件有四个对准标记，X-Y工作台15要移动三百次，X-Y工作台每次移动约为0.2秒。据此，对含有一百个半导体器件的半导体衬底，完成底座台移动需要60秒。
结果是，电子束辐射装置对晶体处理的能力大为降低，从而增加了半导体器件制作的成本。
除了上述电子束辐射装置之外，已提出了类似的装置如下。
日本未审查特许公开平.3-194916提出了探测对准标记位置的装置。此装置中，电子束辐射在对准标记上，根据从衬底和对准标记发射的二次电子和二次离子，可探测衬底中电流变化处的位置。根据这样确定的位置及关于偏转电子束的偏转电压的数据，确定对准标记的位置。
日本未审查特许公开平.3-201526提出了大量半导体芯片彼此间对准的装置。此装置中，各半导体芯片对准标记有不同的位置。通过扫描对准标记和探测从被扫描的对准标记发射的电子的量，确定对准标记的位置。
基于1986年8月20日申请并已转让给惠普公司的美国专利申请898,451的日本专利公报2625124提出了一种光刻方法，它包括以下步骤在芯片上形成芯片套准标记；通过移动其上装有集成电路芯片的工作台得到综合的参数，并将偏转电子束应用到芯片套准标记上；根据综合参数计算出调整数据；通过调整数据将电子束应用到集成电路芯片上。所说综合参数由工作台参数和偏转板参数组成，底座台参数是通过维持电子束不动而移动底座台得到的，偏转板参数是通过维持底座台不动偏转电子束而得到的。
然而，上述公开都有上述问题。即装有要处理半导体器件的工作台需进行多次移动，使装置的晶片处理能力大大降低。
鉴于现有技术的上述问题，本发明的目的是提供电子束对准的方法和装置，在工作台必须与半导体器件对准的情况下，能使装有要处理半导体器件的工作台移动的次数减少，从而提高处理半导体器件的数量。
第一方面，本发明提供对准半导体衬底与其上放置半导体衬底的底座台的方法，在利用电子束在半导体衬底上直接形成电路图形的工艺中，该方法包括以下步骤扫描形成于半导体衬底表面上的对准标记，及确定对准标记的位置，其特征是(a)用电子束以一定扫描角对准标记进行扫描，扫描角定义为电子束方向和参考方向间的夹角，该角是变化的；(b)对每个扫描角计算对准标记沿扫描方向的宽度；(c)从在步骤(b)计算出的宽度中确定最小宽度；并定义与最小宽度有关的扫描角度为半导体衬底与X-Y工作台之间的角间距。
例如，根据对准标记反射回的电子束，对每个扫描角，可以计算对准标记沿扫描方向的的宽度。对准标记发射的二次电子可代替对准标记反射回的电子束。
参考方向是底座台的X轴的方向比较好。对每个扫描角，对准标记进行多次扫描比较好。
对准标记可设计成多种形式。例如，对准标记可由有一定宽度的直线组成对准标记也可由每根直线有一定宽度且彼此平行的多根直线组成，这种情况下，直线的宽度相同比较好。对准标记可以由至少有一个直线部分的标记组成。此外，对准标记也可由有不同宽度部分的直线组成。
按本发明的另一方面，提供一种电子束辐射装置，能够利用电子束在半导体衬底上直接形成电路图形，它包括(a)放置半导体衬底的X-Y工作台；(b)电子扫描仪，能够利用电子束扫描形成于半导体衬底表面上的对准标记；以及(c)确定对准标记位置的控制单元，其特征是，电子束扫描器用电子束以一定扫描角对准标记进行扫描，扫描角定义为电子束方向和和参考方向间的夹角，该角是变化的，控制单元对每个扫描角计算对准标记沿扫描方向的宽度；并从计算的宽度中确定最小宽度；从而定义与最小宽度有关的扫描角为半导体衬底与X-Y工作台之间的角间距。
控制单元对每个扫描角计算对准标记沿扫描方向的宽度时，根据从对准标记反射回的电子束或根据从对准标记发射的二次电子进行计算比较好。
对每个扫描角，电子束扫描器多次扫描对准标记比较好。
按本发明再一方面，提出了上述电子束辐射装置和半导体衬底的组合体，用电子束辐射装置发射的电子束直接在半导体衬底上形成电路图形，并且半导体衬底表面上形成有上述任一种对准标记。
按照上述发明，应用电子束以可改变的扫描角扫描对准标记，可确定对准标记的宽度。角间距是这样确定的宽度中的最小宽度有关的扫描角。即，本发明可以在不移动底座台的情况下确定半导体衬底的X-Y坐标系和底座台的X-Y坐标系间的角间距。因此，可能大幅度地提高电子束辐射装置的处理能力，从而确保高质量半导体器件生产的高质量和低成本。
图1是说明常规电子束辐射装置的示意图。
图2是现有技术中存在问题的放大图，展示了部分于其上制作半导体器件的半导体衬底。
图3是根据第一实施例说明第一实施例的放大图，展示了部分于其上制作半导体器件的半导体衬底。
图4A是根据第一实施例的对准标记的放大图。
图4B是对准标记反射的电子的指示信号的示图。
图5是对准标记的宽度与扫描方向之间的关系图。
图6是按照第二实施例的对准标记的放大图。
图7是按照第三实施例的对准标记的放大图。
(第一实施例)按照第一实施例的电子束辐射装置具有与图1所示的电子束辐射装置相同的结构。
然而，在本实施例中，电子束装置中的计算机3设计成控制电子束偏转的控制电路31，以便用电子束10以可变扫描角扫描对准标记。此处的扫描角定义为由电子束10辐射方向与参考方向之间构成的角。在本实施例中，参考方向规定为有关于X-Y工作台15的X-Y坐标系的X轴的方向。
此外，计算机3设计为对每个扫描角沿扫描方向计算对准标记的宽度，然后在这样计算的宽度中确定最小宽度。与这样确定的最小宽度有关的扫描角定义为有关于X-Y工作台15的X-Y坐标系与有关于半导体器件40的X’-Y’坐标系间的角间距。
下面说明按照本实施例的电子束辐射装置的操作情况。
参见图3，在半导体衬底20上制作半导体器件40。半导体器件40有X’-Y’坐标系。在半导体器件40的表面上，在原点即在X’-Y’坐标系的坐标为(0，0)处形成对准标记41。如图4A所示，对准标记41是个矩形，它的长边在Y轴方向的长度为L0，短边在X’轴方向的长度为W0。放置半导体器件40的X-Y工作台15具有X-Y坐标系。
相关于半导体器件40的X’-Y’坐标系与相关于X-Y工作台15的X-Y坐标系之间的角间距θ’如下确定。、首先，如图4A所示，按电子束42完全扫过对准标记的方式，用电子束42沿着平行工作台15的X-Y坐标系的X轴方向(θ＝0)扫描对准标记，X轴属于底座台15的X-Y坐标系。与扫描同步，利用反射电子探测器17探测对准标记41反射的电子强度。所探测的这种反射电子强度如图4B的曲线43所示。
根据这样得到的曲线43，利用如峰值探测法、阈值法或微分法等信号处理算法确定对准标记41沿着扫描方向(θ＝0)的宽度W(θ0)。为了使沿扫描方向测量对准标记41的宽度具有高可靠性，在同一方向重复扫描多次为好。
然后，计算机3控制电子束偏转控制电路31，使电子束42扫描方向沿反时针方向转动θ角。然后，电子束42沿属于X-Y工作台15的X-Y坐标系的X’方向(θ＝θ1)扫描对准标记41，扫描方式是电子束42完全扫过对准标记41。与宽度W(θ0)类似，根据所得曲线43确定对准标记41沿扫描方向(θ＝θ1)的宽度W(θ1)。
然后，电子束42的扫描方向沿反时针方向转动θ2，θ3，……。即，如图4A所示，扫描方向连续变化到方向X”，X”’…。然后，根据所得曲线43，确定对准标记41沿每个扫描方向(θ＝θ2，θ＝θ3…)的宽度W(θ2)，W(θ3)…。
然后，这样得到的宽度W(θ0)，W(θ1)，W(θ2)，W(θ3)…关于每个扫描方向(θ＝0，θ＝θ1，θ＝θ2，θ＝θ3)作图。于是，得到对准标记41的宽度W(θ0)，W(θ1)，W(θ2)，W(θ3)与扫描方向(θ＝0，θ1，θ2，θ3)的关系曲线，如图5所示。
假设半导体器件40的X’-Y’坐标系相对于X-Y工作台15的X-Y坐标系旋转θ’角，由以下方程可以给出对准标记41扫描角θ与宽度W之间的关系方程如下W＝W0/cos(θ-θ’)由此方程可知，当扫描角θ等于角θ’时，所测的对准标记41的宽度W将是最小值，也就是等于对准标记41的较短边的长度W0。然而，与对准标记41的最小宽度有关的扫描方向θ等于由X-Y工作台15的X-Y坐标系与半导体器件40的X’-Y’坐标系间的角间距θ’。
因此，按本实施例，不用移动或转动X-Y工作台15便可以确定角间距θ’。尽管为了更好地理解本实施例制作了图5所示曲线，但实际上，计算机3不用绘制宽度W与扫描角θ的关系图便可以确定角间距θ’。
在本实施例，扫描角θ变化了三次。然而，应注意扫描角θ变化的次数不限于三次。扫描角θ变化多少次取决于电路图形彼此对准的精度。
上述实施例中采用反射电子探测器17探测反射的电子22。然而，应注意，也可以利用二次电子探测器如闪烁器探测二次电子，以确定对准标记41的宽度W。(第二实施例)图6示出了用于第二实施例的对准标记44。对准标记44由三个矩形组成，每个矩形的长边在半导体器件40的X’-Y’坐标系Y’轴方向和短边在X’轴方向。这些矩形相互平行设置且设计成有相同的宽度。
半导体器件40的X’-Y’坐标系与X-Y工作台15的X-Y坐标系之间的角间距θ以与上述第一实施例相同的方法确定。
首先，如图4A所示，用电子束42沿平行于X-Y工作台15的X-Y坐标系的X轴方向(θ＝0)扫描对准标记44，扫描的方式是电子束42完全扫过对准标记44。结果，确定了对准标记44沿扫描方向(θ＝0)的宽度。在本实施例中，对准标记44的宽度W等于组成对准标记44的三个矩形的宽度总和。扫描包含三个矩形的对准标记44等效于扫描第一实施例的对准标记41三次。
然后，计算机3控制电子束偏转控制电路31，使电子束42的扫描方向沿反时针方向转动角度θ1，θ2，……。也即连续将扫描方向变到X″，X……，如图6所示。然后，根据曲线43确定对准标记44沿每个扫描方向(θ＝θ1，θ＝θ2……)的宽度W(θ)，W(θ2)……。与第一实施例类似，计算机3从这样确定的宽度中找出最小宽度，并确定与最小宽度有关的扫描角度，并将它作为X-Y工作台15的X-Y坐标系与半导体器件40的X’-Y’坐标系间的角间距θ’。
按第二实施例，构成对准标记44的矩形或直线增加。这比对单个矩形多次扫描更有利。因此，第二实施例可以用比单个对准标记扫描多次所需时间短的时间扫描对准标记。
构成对准标记44的矩形数不限于三个。对准标记44可由四个或更多的矩形或直线组成。(第三实施例)图7示出了用于第三实施例的对准标记45。对准标记45由直线或不同宽度的矩形部分45a，45b，和45c组成。第一部矩形分45a的宽度大于第二矩形部分45b的宽度，而第二矩形部分45b的宽度又大于第三矩形部分45c的宽度。具体地，第一矩形部分45a的宽度是第三矩形部分45c的宽度的三倍；而第二矩形部分45b是第三矩形部分45c宽度的两倍。
采用电子束42可以在第一、第二和第三矩形部分45a、45b、和45c的任何部分扫描对准标记45。例如，用电子束以变化的扫描角θ扫过第三矩形部分45c扫描对准标记45，由此确定角间距θ’。为了确定角间距θ’，也可以扫过第一或第二矩形部分45a或45b扫描准标记45。另外，可以扫过从第一到第三矩形部分45a一45c的任何一个或几个扫描对准标记，这可以确保高精度地确定角间距θ’。
权利要求
1.一种将半导体衬底(20)与底座台(15)对准的方法，其中底座台上放置所说半导体衬底(20)，在用电子束(10)于所说半导体衬底(20)上直接形成电路图形的工艺中，所说方法包括以下步骤扫描形成于所说半导体衬底(20)上的对准标记(41，44，45)，以及确定所说对准标记(41，44，45)的位置，其特征在于(a)用电子束(10)以一定的扫描角(θ)横扫过对准标记(41，44，45)进行扫描，扫描角(θ)定义为所说的电子束(10)的方向和参考方向间的角度，该角为变化的；(b)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)；以及(c)从在步骤(b)计算出的宽度(W)中确定最小宽度，并定义与最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底(20)与所说底座台(15)之间的角间距(θ’)。
2.如权利要求1的方法，其特征在于，根据(a)所说对准标记(41，44，45)反射的电子束(22)和(b)所说对准标记(41，44，45)发射的二次电子之一，对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)。
3.如权利要求1或2的方法，其特征在于，对每个所说扫描角(θ)，多次扫描所说对准标记(41，44，45)。
4.如权利要求1或2的方法，其特征在于，所说对准标记(41)由有一定宽度的直线组成。
5.如权利要求1或2的方法，其特征在于，所说对准标记(44)由有一定宽度且设置成相互平行的多根直线组成。
6.如权利要求5的方法，其特征在于，所说直线有相同的宽度。
7.如权利要求1或2的方法，其特征在于，所说对准标记(41，44，45)由至少包括一个直线部分的标记构成。
8.如权利要求1或2的方法，其特征在于，所说对准标记(45)由有不同宽度的直线部分(45a，45b，45c)组成。
9.一种电子束辐射装置，用于利用电子束在半导体衬底上直接形成电路图形，包括(a)X-Y工作台(15)，其上放置半导体衬底(20)；(b)电子束扫描仪(11)，用于利用电子束(10)横扫过形成于所说半导体衬底(20)表面上的对准标记(41，44，45)进行扫描；以及(c)控制单元(3)，用于确定所说对准标记(41，44，45)的位置，其特征在于，所说电子束扫描仪(11)以一定的扫描角(θ)横扫过对准标记(41，44，45)进行扫描，扫描角(θ)定义为所说电子束10方向与参考方向之间的夹角，该角是可变的；所说控制单元(3)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)；从这样计算的宽度(W)中确定最小宽度，并定义与所说最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底(20)与X-Y工作台(15)之间的角间距(θ’)。
10.如权利要求9的电子束辐射装置，其特征在于，根据(a)所说对准标记(41，44，45)反射的电子束(22)和(b)所说对准标记(41，44，45)发射的二次电子之一，所说控制单元(3)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)。
11.如权利要求9或10的电子束辐射装置，其特征在于，所说电子束扫描仪(11)对每个所说扫描角度θ多次扫描所说对准标记(41，44，45)。
12.一种电子束辐射装置和半导体衬底20的组合体，利用所说电子束辐射装置发射的电子束(10)，在半导体衬底(20)上直接形成电路图形，所说半导体衬底在其表面形成有一定宽度的对准标记(41，44，45)，所说电子束辐射装置包括(a)X-Y工作台(15)，其上放置所说半导体衬底(20)；(b)电子束扫描仪(11)，用于利用电子束(10)横扫过对准标记(41，44，45)进行扫描；以及(c)控制单元(3)，用于确定所说对准标记(41，44，45)的位置，其特征在于，所说电子束扫描仪(11)以一定的扫描角(θ)横扫过对准标记(41，44，45)进行扫描，扫描角(θ)定义为所说电子束(10)方向与参考方向之间的夹角，该角是可变的；所说控制单元(3)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)；从这样计算的宽度(W)中确定最小宽度，并定义与所说最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底(20)与X-Y工作台(15)之间的角间距(θ’)。
13.如权利要求12的组合体，其特征在于，根据(a)所说对准标记(41，44，45)反射的电子束(22)和(b)所说对准标记(41，44，45)发射的二次电子之一，所说控制单元(3)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41，44，45)沿扫描方向的宽度(W)。
14.如权利要求12或13的组合体，其特征在于，对每个所说扫描角(θ)，所说的电子扫描仪(11)多次扫描对准标记(41，44，45)。
15.如权利要求12或13的组合体，其特征在于，所说对准标记(40)由有一定宽度的直线组成。
16.如权利要求12或13的组合体，其特征在于，所说对准标记(44)由有一定宽度且相互平行的多根直线组成。
17.如权利要求16的组合体，其特征在于，所说直线有相同的宽度。
18.如权利要求12或13的组合体，其特征在于，所说对准标记(41，44，45)的由至少包括一个直线部分的标记构成。
19.如权利要求12或13的组合体，其特征在于，所说对准标记(45)由有不同宽度的直线部分(45a，45b，45c)组成。
全文摘要
用底座台对准半导体衬底的方法,包括步骤:扫描形成于所说半导体衬底上的对准标记,以及确定所说对准标记的位置,其特征在于:用电子束以一定的扫描角(θ),对准标记进行扫描;对每个扫描角(θ)计算所说对准标记沿扫描方向的宽度(W);从在步骤(b)计算出的宽度(W)中确定最小宽度。并定义与最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底与所说底座台之间的角间距(θ’)。
文档编号H01L21/027GK1197283SQ9810118
公开日1998年10月28日 申请日期1998年4月10日 优先权日1997年4月11日
发明者野末宽 申请人:日本电气株式会社