专利名称：基板加工装置和方法
技术领域：
本发明关于基板加工装置和方法，一种基板制造方法，尤其是关于迭合和接触两块基板的基板制造装置和方法以及一种基板制造方法。
通过进行阳极连接、加压加工、热处理之类使两块基板相互接触和相互重迭。这个方法宜用于制造具有SOI之类结构的基板。
图11A和11B概略表示接触基板加工的步骤。在这种基板接触中，正如图11A所示，第一基板1放置在基板支承夹具201上，其接触表面朝上，第二基板2轻轻地覆盖在第一基板1上，其接触表面朝下。同时，上基板2由基板之间的气体(如空气或惰性气体)托浮着，如图11A所示。
在基板1和2之间的气体完全排放以前，上基板2的中心部分由加压销202加压，如图11B所示。然后，基板的中心部分之间气体排出，基板1和2在中心部分相互接触。当基板之间的气体朝周边部分逐渐排放时，接触部分的面积增加。最后整个基板相互接触。
这种方法对接触两块基板而在它们之间不留任何气体的情况下是有用的，但也存在下列问题。
第一个问题是伴随两块基板的校准时的基板污染问题。亦即由于上基板2是由基板之间的气体迭合浮动的，上基板2在水平方向的摩擦力很小。为此即使夹具201稍有倾斜，上基板2会滑动。因此在精确校准基板1和2时要求有一个装置来限制基板2的水平移动。
图11A和11B所示的夹具201具有一凹口，它与基板1和2的形状相一致，并在由凹口的侧壁限制基板1和2的水平移动的同时使基板1和2对准。图12表示用于对准时迭合基板1和2的夹具布局另一个例子。夹具205具有校准销204和一个加压销203。加压销203通过若干校准销204对基板1和2加压，以限制基板1和2的水平移动。
在用如图11A和11B或图12所示的夹具来迭合两块基板的方法中，由于基板的周边部分与夹具接触，可能产生颗粒，基板的周边部分可能受损，生产率会下降。
在基板加工条件下振动会带来其它问题，尤其是在两块基板迭合和加压销变化之间的时间间隙和在加压销加工基板时基板之间的间隙变化时会出问题。因此使接触两块基板而得到的基板质量难以保持均匀。在基板由加压销加压前在基板之间的气体可能部分排放出来。在这种情况下，残留在基板之间的气体在气体从中心部分朝周边部分逐步排放时使基板不能接触。
本发明是在考虑到上述问题时作出的，本发明的目的是提高通过粘接两块基板而得到的基板的质量。
本发明的基板加工装置是一种用于迭合和接触两块基板的基板加工装置，其特征在于它包括支承两块基板使之相互面对的基板操作装置，然后取消对一块基板的支承。与取消对一块基板的支承相对应，由基板操作装置对迭合在另一块基板上方的一块基板的背面加压部分加压的加压装置。
在基板加工装置中，加压装置最好基本在基板操作装置取消对一块基板的支承的同时对一块基板的加压部分加压。
所加压力的推荐值约为150～300gf，最好是约200～250gf。
在该基板加工装置中，加压装置最好在两块基板之间气体排放不少于确定量之前、一块基板的支承由基板操作装置取消以后再对一块基板部分加压。
在该基板加工装置中，加压装置最好在由基板操作装置取消对一块基板的支承之后间隔一预定时间时再对一块基板加压。
在该基板加工装置中，加压装置最好在两块基板之间的距离减小到不大于某一预定距离之前、一块基板的支承由基板操作装置取消之后再对一块基板部分加压。
在该基板加工装置中，基板操作装置最好水平支承两块基板，然后再取消对上基板的支承。
在该基板加工装置中，基板操作装置最好水平支承两块基板，然后再取消对上基板的支承，并且加压装置最好在两块基板之间的气体由上基板的重力而排放到不少于某一预定量之前、由基板操作装置对上基板的支承取消之后再对基板部分加压。
在该基板加工装置中，基板操作装置最好分别仅从背面支承两块基板。
在该基板加工装置中，基板操作装置最好包括气体调节装置，用以在一块基板的支承取消以后调节两块基板之间的间隙。
该间隙的推荐值约20～200mm，最好约30～60mm。
在该基板加工装置中，间隙调节装置最好将两块基板之间的间隙调节到某一预定距离。
在该基板加工装置中，间隙调节装置最好包括测量两块基板厚度的测量装置，在测量结果的基础上调节两块基板之间的间隙。
在该基板加工装置中，加压装置最好包括与基板部分接触以加压基板的压力传输构件，和振动压力传输构件的振动装置。
在该基板加工装置中，振动装置最好在加压基板时振动压力传输构件。
在该基板加工装置中，基板操作装置最好包括第一基板支承装置和第二基板支承装置，第一基板支承装置用于支承一块面朝上基板的正面，第二基板支承装置用于从背面卡紧另一块基板，并在使基板的正面面向一块基板的正面基本平行的同时支承基板。
在该基板加工装置中，第二基板支承装置最好包括一卡紧构件，它用于从背面卡紧另一块基板，并在另一块基板由卡紧构件卡紧以后最好使卡紧构件绕该卡紧构件和第一基板支承装置之间中间部分的轴转动约180°，以转动卡紧的另一块基板，使另一块基板面向由第一基板支承装置支承的一块基板。
该基板加工装置最好还进一步包括基板传送装置，用于由基板操作装置来将该基板传送到基板接收装置。
该基板加工装置最好还进一步包括基板调节装置，用于调节由基板操作装置支承的基板的中心位置和方向。
在该基板加工装置中，基板调节装置最好调节由基板传送装置保持的基板的中心位置和方向，然后基板传送装置最好将具有调节后的中心位置和方向的基板传送到接收位置。
一种按照本发明的基板加工方法，是一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，与取消相对应对一块基板的背面部分加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
一种按照本发明的基板加工方法，是一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，大致在取消的同时对一块基板的背面部分加压，和将一块基板迭合在另一块基板上。
一种按照本发明的基板加工方法，是一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于它包括支承两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在两块基板之间的气体排放到不少于一预定量之前对一块基板的背面加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
一种按照本发明的基板加工方法是一种迭合和接触两块基板的方法，其特征在于包括支承两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在间隔一段预定时间时对一块基板的背面加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
一种按照本发明的基板加工方法，是一种迭合和接触两块基板的方法，其特征在于包括支承两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在两块基板之间的距离减到不大于一预定距离之前对一块基板的背侧加压，将一块基板迭合到另一块基板上。
一种按照本发明的基板加工方法，是一种迭合和接触两块基板的方法，其特征在于包括基本水平地支承两块基板使之相互面对，取消对上基板的支承，与取消相对应对上基板部分加压，将上基板迭合在下基板上。
一种按照本发明的基板加工方法是一种迭合和接触两块基板的方法，其特征在于包括基本水平地支承两块基板使之相互面对，然后取消对上基板的支承，在两块基板之间的气体由上基板的重力排放到不少于预定量之前对上基板部分加压，将上基板迭合在下基板上。
在每个基板加工方法中，两块基板最好相应地仅从其背面进行支承。
在每个基板加工方法中，最好刚好在基板支承取消之前将两块基板之间的间隙调到一预定的距离。
从下面参照附图对本发明实施例的详细描述将会更加清楚本发明的目的、特征和优点。
图1是透视图，表示本发明的优选实施例中基板加工装置的总的布局，图2是图1基板加工装置的局部放大图，图3是图1和2中沿A-A′线的基板加工装置的剖视图，图4～7是图1和2中沿A-A线的基板加工装置的剖视图，表示在接触两块基板时基板加工装置的操作情况，图8是方框图，表示基板加工装置控制系统的布局示例，图9是流程图，表示基板加工装置的控制程序，图10A～10F表示制造具有SOI结构之类的基板的方法的例子。
图11A和11B表示基板胶接方法的步骤，图12表示夹具布局的另一例子。
下面将参照附图描述本发明优选实施例的基板加工装置的布局。图1是一个透视图，概略表示该实施例的基板加工装置的总布局。图2是图1中基板加工装置局部放大图。图3～7是图1和2中沿A-A′线的基板加工装置100的剖视图。图3～7表示胶接两块基板的操作情况。
迭合和接触两块基板的基板加工装置100宜用于制造具有SOI结构之类的接触两块基板的方法中。
基板加工装置100包括一个基板支承台3，用于从基板背侧支承第一基板1(见图3)；一个基板移动机构4，用于从基板2的背侧卡住第2基板2(见图3)，并使它朝向与之基本平行的第一基板1。
基板支承台3宜于仅和第一基板1的背面接触。这样布局能防止第一基板被颗粒8污染和损坏第一基板1的外围部分。基板支承台3包括一个装置(例如真空卡紧机构)，用于防止第一基板1在基板支承台3上移动。这种装置能防止两块基板在它们接触时不重合。基板支承台3的表面最好是平的，其平面度最好是0.5mm或更小。
基板移动机构4最好仅与第二基板2的背面接触。在本实施例中，基板移动机构4具有用于真空卡紧基板的槽4a。为了卡紧第二基板2，槽4a的空间是降压的。当基板卡紧部分4c卡住第二基板2的背面时，基板移动机构4绕轴4b转动约180°，使第二基板2朝向基本与之平行的第一基板1。轴4b放置在基板支承台3和基板卡紧部分4c之间的大致的中间位置。
基板加工装置100包括用于调节两块相对的基板1和2之间的间隙的机构；用于在第一基板1放置在基板支承台3上后测量第一基板1的厚度的位移检测部分15；用于在第二基板2由基板卡紧部分4c卡住后测量第二基板2厚度的位移检测部分12；用于在两个位移检测部分12和15的测量结果的基础上垂直移动基板支承台3调节基板1和2之间的间隙以设定一个值的Z轴构架5(见图3)。
基板加工装置100具有加压机构6，用于在两块基本1和2面对面地相互支承在一起时对上部基板2的中部加压、在两块基板1和2被支承到相互面对面后，加压机构6的加压销钉6a绕轴6b转到靠近上基板2背侧的位置。随着基板移动机构4的基板卡紧部分4c对上基板2取消卡紧力，加压机构6的加压销钉6a贴靠在上基板2的背侧给基板2加压。当两块基板1和2从加压点到周边部分相互逐步接触时，基板1和2之间的气体朝周边部分排放，这就防止在基板1和2之间留下气体。所加压力的推荐值为150～300gf，最好约200～250gf。
由加压销钉6a对基板2加压最好基本与由基板卡紧部分4c对基板2取消卡紧力同时进行。在这种情况下，由于在保持两块基板1和2之间的间隙的同时能开始加压操作，并调节到设定值，可使接触基板的质量均匀。此外，可更有效地防止气体留在基板1和2之间，并可防止基板1和2的错位。
加压机构6配有振动加压销钉6a的振动器(如压电元件)，通过对压在基板2上的加压销钉6a的振动，可有效地排放基板1和2之间的气体。
由加压销钉6a对基板2的加压可控制在其它时间进行。例如，加压销钉6a可在基板1和2之间的气体排放之前的一段时间或基板2的卡紧被取消后进行加压。加压销钉6a可在对基板2取消卡紧的一段时间以后再对基板2加压，也可以在取消对基板2的卡紧后，由基板2的重力类因素使基板1和2之间的距离减小到一定的距离或更小一些时再对基板2加压。
基板加工装置100还包括一个基板传送自动装置10，它用于将基板1和2放置在基板支承台3和基板卡紧部分4c上，并从基板支承台3上接纳已接触的基板；还包括一基板校准部分11。
在基板加工装置100上，在基板接触加工开始之前，基板盒7和8分别收藏未加工的基板1和2，用以收藏已加工的基板的盒子放在确定的位置。在这个实施例中，收藏在盒7和8内的未加工的基板1和2放成背面朝下。
当通过操作板16的操作开关16b来开始基板接触加工过程时，基板传送自动装置10卡住收藏在基板盒7中的未加工的基板1的背侧，将它送到基板校准部分11上。基板校准部分11用传感器测定传送基板1的中心位置和方向(例如平面和槽口)并调节它们。该基板校准部分11最好仅与基板1的背面接触。
基板传送自动装置10接收了已校准的基板1，并将其放置在从基板支承台3突出的装载销13的预定位置上。在基板1以这种方式放置在装载销13上以后，基板支承台3上移以支承基板1。由于基板1已由基板校准部分11校准并在保持位置关系的情况下传送到基板支承台3，所以不必再次调节基板1的中心位置和方向。应该注意，也可采用在基板支承台3上对基板1进行校准工作。
基板传送自动装置10从基板盒8中提取未加工的基板2，由基板校准部分11用同样的程序调节基板2的中心位置和方向，再将其板2放在从基板移动机构4的卡紧部分4c上突出的装载销14的预定位置。在基板2以此方法放在装载销14上后，基板卡紧部分4c绕轴4b一直转到与基板2的背面接触。基板卡紧部分4c对槽4a的空间减压以卡住基板2。由于基板2已由基板校准部分11校准，并在保持位置关系的同时由基板卡紧部分4c卡住，与基板1相类似，就不必再一次调节基板2的中心位置和方法。在卡紧基板2时，装载销14可以向下收缩而不必转动基板卡紧部分4c。
当基板1和2分别支承到基板支承台3和基板压紧部分4c上时，位移检测部分15和12分别测出基板1和2的厚度，更具体地说，位移检测部分15和12分别将传感器15a和12a移到基板1和2的上方并进行照射，例如用光线照在基板1和2上，以反射光为基础测出基板1和2的厚度。
在对基板1和2的厚度的测量完成以后，基板卡紧部分4c绕轴4c转动180°，使基板2如上所述面朝基本平行的基板1，基板1和2之间的间隙由Z轴构架5调节，由加压销6a对基板2加压，使基板1和2接触。
接触完成时，Z轴构架5使支承台3下移，加工好的基板由装载销13支承。基板传送自动装置10接纳加工后的基板并将它收藏在基板盒9中。
通过重复进行这个程序，能一个接一个地加工收藏在基板盒7和8中的若干基板。
下面将参照图3～7来描述基板加工装置100在接触两块基板工作中的操作情况。
当基板1和2由基板传送自动装置10分别放置在装载销13和14上时，Z轴构架5将基板支承台3向上移到支承基板1的预定位置，基板移动机构4绕轴4b转动使基板卡紧部分4c转到一预定位置，在该位置基板卡紧部分4c能卡住基板2，如图3所示。
正如图4所示，位移检测部分15和12的传感器15a和12a移到基板1和2的上方，分别测出基板1和2的厚度。在基板1和2的厚度测量工作完成以后，传感器15a和12a返回到图3所示的原来的位置。
正如图5所示，基板移动机构4使基板卡紧部分4c绕轴4b转动180°，使基板1和2基本平行地相互面对，Z轴构架5调节基板支承台3的水平面，将基板1和2之间的间隙设定到一个设定值，该间隙推荐值是约20～100mm，最好约为30～60mm。
正如图6所示，加压销6a绕轴6b转到靠近基板2背侧的部分上(即加压销6a基本与基板2的背侧接触的位置)。
正如图7所示，加压销6a随着基板卡紧部分4c取消对基板2的卡紧而对基板2的背面加压。同时振动加压销6a以有效地排放基板1和2之间的气体。
在加压机构6返回到原位(图2所示状态)后，基板卡紧部分4c返回原位(图2所示状态)。基板支承台下降由装载销13支承接触后的基板。在这种状态下，基板传送自动装置10卡住接触后的基板的下部，将它传送到基板盒9并收藏在里面。
下面将参照图8描述基板加工装置100的控制系统的例子。一控制器17控制基板传送自动装置10、基板校准部分11，位移检测部分12和15、Z轴构架5、基板移动机构4、加压机构6及操作板16，用CPU17a按程序17b进行操作。
图9是一个流程图，表示按程序17b的控制过程。下面将参照此流程图来说明基板加工装置的控制系统的工作情况。
当基板接触过程开始时，通过操作操作开关16b的指示，连接到控制器17上的相应的组件按步骤S901开始工作。在此启动步骤中，也要确认基板盒7、8和9存在情况和位置情况。如果准备工作还未做好，操作者将在显示板16a上给出显示的警告。
在步骤S902，控制基板传送自动装置10以卡紧收藏在基板盒7中的基板1。在步骤S903，卡紧的基板1传送到基板校准部分11，由它调节基板1的位置(中心位置和方向)。在步骤S904，控制基板传送装置10，将基板1放在从基板支承台3突出的装载销13上的预定位置，控制Z轴构架5，使基板支承台3移到预定位置。同时在基板支承台3包括基板卡紧机构的情况下，控制卡紧机构卡紧基板1。
在步骤S905，控制基板传送自动装置10，卡紧收藏在基板盒8中的基板2。在步骤S906，基板2传送到基板校准部分11，由它调节基板2的位置(中心位置和方向)。在步骤S907，控制基板传送自动装置10，将基板2放在从基板卡紧部分4c上突出的装载销14的预定位置上。控制基板移动机构4的转动马达4d，使基板卡紧部分4c绕轴4b转动一预定角度，从而由基板卡紧部分4c卡住基板2。
在步骤S908，控制位移检测部分15的驱动部分15b使传感器15a移到基板1上方的预定位置，用传感器15a测出基板1的厚度。
在步骤S909。控制位移监视部分12的驱动部分12b，使传感器12a移到基板2上方的预定位置，用传感器12a测出基板2的厚度。
在步骤S910，控制基板移动机构4的转动马达4d，使基板卡紧部分4c绕轴4b转动约180°，从而使基板1和2基本平行地相互面对。
在步骤S901，在测定基板1和2厚度的基础上将基板1和2之间的间隙调到一设定值，在此数据的基础上控制Z轴构架5以调节基板1和2之间的间隙。
在步骤S912，控制加压机构6的转动马达6d，使加压销6a绕轴6b转动，从而使加压销6a的顶部基本与基板2的背面接触。
在步骤S913，取消基板卡紧部分4c对基板2的卡紧。在步骤S914，控制加压机构6的转动马达6d和振动器6c，用加压销6a对基板2的背侧加压，同时振动加压销6a。通过S913之后立即进行步骤S914，取消对基板2的卡紧和对基板2加压可基本同时进行。应注意，对基板2的加压可在进行步骤914后一段预定时间间隔时开始。
在步骤S915，在基板1和2接触后，控制加压机构6的转动马达6d，使加压销6a返回原位。在步骤S916，控制基板移动机构4的转动马达4d，使基板卡紧部分4c返回原位。
在步骤S917，控制Z轴构架5，使基板支承台3下移到原位。结果，接触基板由装载销13支承。当卡住第二块基板2时，在基板支承台3向下移动之前必须取消这次卡紧动作。
在步骤S918，控制基板传送自动装置10，将接触基板传送到基板盒9并收藏在里面。
在步骤S919，检查是否所有的收藏在基板盒7和8内的基板都已接触了，如果为否，则该流程返回到步骤S902，重复进行上述加工过程。如果为是，这一系列加工已完成。同时在加工过程的最后，最好在显示板16a之类的装置上或蜂鸣器之类的装置显示出来。
如上所述，按照该基板加工装置100，由于1)对上部基板2的加压是对应于对上部基板2取消卡紧而开始的，基板1和2之间的气体能可靠地朝周边部分排放，由于2)基板2在基板1和2相互面对面时没有滑动，两块基板1和2的精确对准。由于3)基板1和2之间的间隙能调到一合适的距离，制造基板的质量可做到很均匀。此外，这种基板加工装置100并不要求任何预先对基板1和2作分级工作。4)能防止基板1和2的正面被颗粒污染。5)能防基板的周边部分碎裂。6)残留在基板之间的气体能在加工时通过振动进一步排放出来。
下面将描述基板加工装置100应用的例子。图10A～10F表示制造具有SOI结构之类的基板的方法的例子。
构成第一基板1的单晶硅基板501制备好以后，在该单晶硅基板501(见图10A)的主表面上形成一多孔硅层502。在多孔硅层502上至少再形成一无孔层503(见图10B)。作为一个例子无孔层推荐使用一层单晶硅层、一层多硅层、一层非晶硅层、一层金属层、一层复合半导体层和一层超导层。
一种诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的元件可形成在无孔层503上。
一层二氧化硅(SiO2)层504形成在无孔层503上，所得到的结构用作第一基板1(见图10c)。第一基板1收藏在基板盒7内，二氧化硅层504面朝上。
第二基板2是分开制备的，它们收藏在基板盒8内，正面朝上。
在这种状态下，基板加工装置100进行操作。然后，第一和第二基板1和2在基板支承台3上接触，从而将SiO2层夹在它们之间(见图10D)。接触后的基板收藏在盒9内。
通过阳极连接、加压加工、如果需要再进行热处理或上述加工的联合对接触基板(图10D)来说可增强基板1和2的接触。
第二基板2推荐硅基板，一种在硅基板上形成一SiO2层而制备的基板，一种诸如晶体基板的透光基板和一种兰宝石基板。第二基板2只要具有令人满意的平的接触表面就行，因此可以是其它类型的基板。
第一基板1在无孔层503(见图10E)从第二基板2除去，多孔硅层502被有选择地进行腐蚀和清理。图10F概略表示由上述制造方法得到的基板。
按照该制造方法，由于两层基板在它们之间的气体适当排放的同时进行接触，所以能制造出高性能的基板。
按照本发明，可以增加通过粘接两块基板而得到的基板的性能。
本发明不仅限于上述实施例，本发明的精神和范围内可进行各种变化和改型。因此，为使公众知道本发明的范围设立了下列权利要求书。
权利要求
1.一种用迭合和接触两块基板的基板加工装置，其特征在于包括基板操作装置，用于支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承；加压装置，用于与由上述基板操作装置取消对一块基板的支承相对应，对一块基板的背面部分加压，使一块基板迭合在另一块基板上。
2.权利要求1的装置，其特征在于上述加压装置对一块基板部分加压是在由上述基板操作装置取消对一块基板的支承的同时进行的。
3.权利要求1的装置，其特征在于上述加压装置在上述两块基板之间的气体排放到不少于某一预定量之前，在由上述基板操作装置对一块基板的支承取消以后对一块基板部分加压。
4.权利要求1的装置，其特征在于上述加压装置在由上述基板操作装置对一块基板的支承取消以后一段预定的间隔时间时对一块基板部分加压。
5.权利要求1的装置，其特征在于上述加压装置在上述两块基板之间的距离减小到不少于某一预定距离之前，在由上述基板操作装置取消对一块基板的支承之后对一块基板部分加压。
6.权利要求1～5中任何一个装置，其特征在于上述基板操作装置基本水平地支承上述两块基板，然后取消对上述上基板的支承。
7.权利要求1的装置，其特征在于上述基板操作装置基本水平地支承上述两块基板，然后取消对上述上基板的支承，上述加压装置在上述两块基板之间的气体由于上述上基板的重力排放到不少于预定量之前，在由上述基板操作装置对上述上基板的支承取消之后对上述上基板部分加压。
8.权利要求1～7中任何一个的装置，其特征在于上述基板操作装置仅分别从其背面支承上述两块基板。
9.权利要求1～8中任何一个的装置，其特征在于上述基板操作装置包括间隙调节装置，用于在正好取消对一块基板的支承之前调节上述两块基板之间的间隙。
10.权利要求9的装置，其特征在于上述间隙调节装置将上述两块基板之间的间隙调节到某一预定的距离。
11.权利要求9或10的装置，其特征在于上述间隙调节装置包括测量上述两块基板厚度的测量装置，并根据测量结果调节上述两块基板之间的间隙。
12.权利要求1～11的任何一个装置，其特征在于上述加压装置包括一压力传送构件和振动装置，压力传送构件用于与上述基板部分接触对上述基板加压，振动装置用于振动上述压力传送构件。
13.权利要求12的装置，其特征在于上述振动装置在对上述基板加压时振动上述压力传送构件。
14.权利要求1～13中任何一个的装置，其特征在于上述基板操作装置包括用于支承上述面朝上基板的背侧的第一基板支承装置，和用于从背面卡紧另一块基板的第二基板支承装置，在使上述基板的正面面朝基本平行的一块基板正面的同时，支承上述基板。
15.权利要求14的装置，其特征在于上述第二支承装置包括用于从背侧卡紧另一块基板的卡紧构件，在另一基板由上述卡紧构件卡紧以后，使上述卡紧构件绕位于上述卡紧构件和上述第一基板支承装置之间靠近中间部分的轴转动约180°，使卡紧的基板转动，使另一块基板面朝由上述第一基板支承装置支承的一块基板。
16.权利要求1～15中任何一个的装置，其特征在于还包括由上述基板操作装置将上述基板传送到接收位置的基板传送装置。
17.权利要求16的装置，其特征在于还包括用于调节由上述基板操作装置支承的上述基板的中心位置和方向的基板调节装置。
18.权利要求17的装置，其特征在于上述基板调节装置调节由上述基板传送装置保持的上述基板的中心位置和方向，然后上述基板传送装置将具有调节好中心位置和方向的上述基板传送到接收位置。
19.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，与取消相对应对一块基板的背面部分加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
20.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在上述两块基板之间的气体排放到不少于第一预定量之前对一块基板的背面部分加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
21.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在上述两块基板之间的气体排放到不少于某一预定量之前对一块基板的背面部分加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
22.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对一块基板的支承，在间隔一预定时间时对一块基板的背面部分加压，将一块基板迭合在另一块基板上。
23.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括支承上述两块基板使之相互面对，取消对一块基板的支承，在上述两块基板之间的距离减小到不大于某一预定距离之前对一块基板的背面部分加压。
24.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括基本水平地支承上述两块基板使之相互面对，然后取消对上述上基板的支承，对应于此取消对上述上基板部分加压，将上述上基板迭合在上述下基板上。
25.一种迭合和接触两块基板的基板加工方法，其特征在于包括基本水平地支承上述两块基板使之相互面对，取消对上述上基板的支承，在上述两块基板之间的气体由于上述上基板的重力排放到不少于某一预定量之前对上述上基板加压，将上述上基板迭合到上述下基板上。
26.按照权利要求19～25的任何一个的方法，其特征在于上述两块基板分别仅从其背面支承。
27.按照权利要求19～25的任何一个的方法，其特征在于刚好在取消上述基板的支承之前将上述两块基板之间的间隙调节到某一预定距离。
28.一种基板制造方法包括按照权利要求19～27的基板加工方法中的部分加工方法。
全文摘要
一块基板放在基板支承台上,其正面朝上,另一块基板由夹紧部分夹紧,其正面朝上。基板夹紧部分绕一根轴转动180°，使两块基板相互面对基本平行。对应于取消由基板夹紧部分对上基板的夹紧,由加压销对上基板的中心部分加压,从而迭合两块基板。
文档编号H01L21/00GK1198586SQ9810553
公开日1998年11月11日 申请日期1998年3月12日 优先权日1997年3月13日
发明者泷泽亨, 米原隆夫, 山方宪二 申请人:佳能株式会社