专利名称：干法制备硫化亚铜薄膜方法
技术领域：
本发明属于光电材料制备工艺领域，更进一步涉及一种干法制备硫化亚铜薄膜的方法。
在现有技术中硫化亚铜薄制备有以下几种方法①湿法制备硫化亚铜薄膜其一种工艺为以金属为衬底，在金属表面上形成CdS层，然后将其浸入具有一定浓度的硫酸铜(含有铜离子的酸性溶液)中，通过烘干，在表面层形成Cu2S薄膜，此方法主要用于制备Cu2S/CdS薄膜太阳光电池方面)。②热蒸发方法将Cu2S粉末放入坩埚中，通过将坩埚加热，将其蒸发，在衬底材料上形成Cu2S薄膜。现有方法所制备的Cu2S薄膜主要缺陷为结构性能不稳定，所制备的太阳光电池不能达到实用化目的。
本发明的目的在于克服以下现有技术的缺陷，提供一种利用干法制备Cu2S薄膜的方法。
本发明方法的步骤为①首先选用普通平板玻璃作为衬底材料，并用玻璃清洗刷剂清洗干净，晾干后放入加热炉中烘烤，烘烤温度300～400℃，时间0.5～2小时；②将烘烤过的玻璃放入真空室中真空度为1×10-2帕，用普遍的热蒸发方法，蒸镀厚度为200nm的铜薄膜；③最后将铜薄膜放入硫化炉中进行硫化；硫化炉内温度为480～540℃，时间为3～8分钟。
实施例①选用普通平板玻璃作为衬底材料，并用玻璃清洗剂清洗干净，晾干后加入加热炉中烘烤炉，内温度为350℃，烘烤时间1小时；②将处理过的玻璃放入真空室中，真空达到1×10-2帕时，用普遍的热蒸发方法，蒸镀厚度为200纳米的铜薄膜；③将制备的铜薄膜放入硫化炉中硫化，炉内温度为500℃，硫化时间5分钟，即可形成符合要求的硫化亚铜薄膜。
采用本发明方法制备的硫化亚铜薄膜，具有质地均匀，结构和性能稳定，可使该类薄膜太阳光电池达到实用化的要求。
权利要求
干法制备硫化亚铜薄膜方法，其特征在于①首先选用普通平板玻璃作为衬底材料，并用玻璃清洗剂清洗干净，晾干后放入加热炉中烘烤，烘烤温度300℃～400℃，时间0.5～2小时；②将烘烤过的玻璃放入真空室中，真空度为1×10-2帕，用普遍的热蒸发方法，蒸镀厚度为200nm的铜薄膜；③最后将铜薄膜放入硫化炉中进行硫化；硫化炉内温度为480～540℃，时间为3～8分钟。
全文摘要
一种光电材料制备工艺领域的干法制备硫化亚铜薄膜的方法,其步骤为:①选用普遍平板玻璃作为衬底材料,并清洗干净、烘烤②在衬底玻璃上蒸镀薄膜③将制备的薄膜硫化,采用本方法制备的硫化亚铜薄膜质地均匀,性能稳定。
文档编号H01L31/18GK1240236SQ9911580
公开日2000年1月5日 申请日期1999年6月23日 优先权日1999年6月23日
发明者吴洪才, 刘效增 申请人:西安交通大学