太阳能电池的制造方法、以及通过该制造方法制造了的太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及使用了远程等离子体CVD装置的太阳能电池的制造方法、以及通过该 制造方法制造了的太阳能电池。
【背景技术】
[0002] 太阳能电池是将光能变换为电力的半导体元件，有p-n结型、pin型、肖特基型等， 特别是P_n结型被广泛使用。另外，如果根据其基板材料来分类太阳能电池，则大致分成硅 晶体类太阳能电池、非晶（非晶质）硅类太阳能电池、化合物半导体类太阳能电池这3种。 硅晶体类太阳能电池进一步被分类为单晶类太阳能电池和多晶类太阳能电池。太阳能电池 用硅晶体基板能够比较容易地制造，所以其生产规模当前最大，被认为今后也将进一步普 及（例如，日本特开平8-073297号公报（专利文献1))。
[0003] 关于太阳能电池的输出特性，一般，通过使用太阳模拟器测定输出电流电压曲线 来评价。在该曲线上，将输出电流Imax与输出电压Vmax之积ImaxXVmax成为最大的点称为最 大输出Pmax，将?Pmax除以入射到太阳能电池的总光能（SXI:S是元件面积、I是照射的光 的强度）而得到的值：
【主权项】
1. 一种太阳能电池的制造方法，具有使用远程等离子体CVD装置在半导体基板表面形 成由氮化硅构成的反射防止膜的工序，其特征在于， 所述远程等离子体CVD装置具备：成膜室，以能够移动的方式配置半导体基板；以及多 个等离子体室，在该成膜室的上方连通地设置，产生氨气的等离子体流，对该等离子体流导 入硅烷气体，之后，向成膜室喷出该等离子体流，并且，所述多个等离子体室分别附设有调 整被导入的氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器， 所述半导体基板通过来自第一等离子体室的等离子体流形成第一氮化硅膜，进而移动 到第二等离子体室的下方，通过基于流量比与第一等离子体室不同的氨气和硅烷气体的等 离子体流，形成组成与所述第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。
2. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于， 所述第一等离子体室中的氨气和硅烷气体的流量比、即氨气流量/硅烷气体流量是 0· 1 ?I. Oo
3. 根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于， 所述第二等离子体室中的氨气和硅烷气体的流量比、即氨气流量/硅烷气体流量是 L 5 ?3. 0〇
4. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于， 关于所述半导体基板，在第一导电类型的硅基板的成为受光面的一侧的面，形成了与 第一导电类型相反的导电类型的扩散层，在该扩散层上，形成反射防止膜。
5. 根据权利要求1?4中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于， 关于所述半导体基板，在第一导电类型的硅基板的成为与受光面相反的面的一侧的面 的至少一部分，形成了与第一导电类型相同的导电类型的扩散层，在形成了该扩散层的面 上，形成反射防止膜。
6. -种太阳能电池，其特征在于， 通过权利要求1?5中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法制造而成。
【专利摘要】一种生产率良好地形成钝化效果优良的由氮化硅构成的反射防止膜的太阳能电池的制造方法，其特征在于，使用具备成膜室(101)、具有使氨气激发的激发部(111a、112a)和对激发了的氨气导入硅烷气体而活性化的活性化反应部(111b、112b)的等离子体室(111、112)、以及针对每个等离子体室(111、112)调整氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器(113)的远程等离子体CVD装置(100)，在成膜室(101)中输送半导体基板(102)的同时，通过来自第一等离子体室(111)的等离子体流，在半导体基板(102)上形成第一氮化硅膜，接着通过来自导入了流量比与第一等离子体室(111)不同的氨气和硅烷气体的第二等离子体室(112)的等离子体流，形成组成与第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。
【IPC分类】H01L31-068, H01L31-18, H01L31-0216
【公开号】CN104521003
【申请号】CN201380042132
【发明人】高桥光人, 渡部武纪, 大塚宽之
【申请人】信越化学工业株式会社
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2013年7月30日
【公告号】EP2884544A1, US20150206990, WO2014024729A1