c的细通道并且具有线形状的另一端。连接通道530d可具有小于第三储箱530c的体积的体积，以及大于排放狭缝530e的内径的内径。
[0070]同样地，排放狭缝530e可布置在第三储箱530c与气体注射空间541之间。排放狭缝530e可具有连接到第三储箱530c的一个端以及连接到气体注射块540的侧部分以与气体注射空间541连通的另一端。排放狭缝530e可具有小于连接通道530d的内径或体积的内径或体积。排放狭缝530e可在气体注射空间541的方向上向下倾斜。
[0071]板550可连接到气体注射块540的下部部分，并且布置在衬底S上方。根据示范性实施例的板550可布置在气体注射块540上,并且具有在两个方向上从第一注射狭缝540a延伸的板形状。板550可具有大于气体注射块540的水平长度并且小于衬底S以及平台200中的每一个的宽度的水平长度。板550可具有狭缝550a(在下文中被称为第二注射狭缝550a)，激光束以及惰性气体穿过第二注射狭缝550a。第二注射狭缝550a可经布置成对应于第一注射狭缝540a的下侧。因此，经由气体注射块540的第一注射狭缝540a排放到板550的第二注射狭缝550a中的惰性气体可通过板550与衬底S之间的间隙而扩展。
[0072]在下文中，将参看图2到图7来描述通过使用根据示范性实施例的热处理设备来使薄膜结晶的方法。
[0073]首先，在玻璃衬底S上形成非晶形多晶薄膜11，例如，非晶形多晶硅薄膜。同样地，可将其上形成有非晶形多晶硅薄膜的衬底S装载到热处理设备的工艺腔室100中，并且坐落在平台200上。
[0074]当将衬底S坐落在平台200上时，可将激光照射到衬底S上形成的薄膜11上，同时衬底S在工艺进行方向上水平地转移通过平台200。即，光源300可操作以输出光，即，来自光源300的激光。接着,在所输出的激光通过透射窗512而穿过光照射单兀510的光照射空间511以及气体注射单元520的气体注射空间541之后，可将所输出的激光经由第一注射狭缝540a以及第二注射狭缝550a照射到衬底S上。因此，衬底S上形成的非晶形多晶硅薄膜可与激光反应以形成晶体硅薄膜。
[0075]如上文所描述，在将激光照射到衬底S上时，可将惰性气体注射到衬底的上侧或薄膜11上。对于这种情形，可将惰性气体(例如，氮气(N2))从第一气体供应管561以及第二气体供应管562中的每一个供应到第一储箱530a的第一通道531a的两个端中。从第一通道531a的两个端供应的氮气可朝向第一通道531a的中心方向扩展。此处，第一通道531a可在第一通道531a的中心方向上具有从第一通道531a的两个端逐渐地减小的宽度。因此，第一通道531a可在中心方向上具有从第一通道531a的两个端逐渐地增大的压力。结果，惰性气体可归因于压力差而快速地转移或扩展在第一通道531a的中心区中。
[0076]S卩，流过根据示范性实施例的第一通道531a的惰性气体可快于流过在延伸方向上具有相同内径的通道的惰性气体。快速地扩展到第一通道531a中的氮气可通过设置在第一划分构件531中的多个第一连通孔534a供应以及扩展到第二通道532a中。第二通道532a内的氮气可通过设置在第二划分构件532中的多个连通孔535a供应以及扩展到第三通道533a中。
[0077]如上文所描述，因为第一通道531a在中心方向上具有从第一通道531a的两个端逐渐地减小的内径以在第一通道531a中产生压力差，所以氮气可快速地扩展到第一通道531a的整个区中。同样地，第一通道531a内的氮气可快速地供应到第二通道532a以及第三通道533a中。此处，氮气可均匀地扩展到第二通道532a以及第三通道533a的整个区中。
[0078]同样地，因为第一连通孔534a、第二连通孔535a以及第三连通孔536a的数目以及内径依次地减小，所以氮气可被逐渐地压缩，同时穿过第一连通孔534a、第二连通孔535a以及第三连通孔536a。因此，可均匀地供应惰性气体，使得惰性气体均匀地扩展到第二储箱530b的整个区中。
[0079]此后，第二储箱530b内的氮气可通过连接通道530d供应到第三储箱530c中。此处，因为第二储箱530b具有小于第一储箱530a的体积的体积，并且第三储箱530c具有小于第二储箱530b的体积的体积，所以从第一储箱530a供应的氮气可在第二储箱530b内被压缩，并且接着以氮气在第三储箱530c内被更多地压缩的状态供应到排放狭缝530e中。供应到气体注射空间541中的氮气可通过第一狭缝540a以及第二狭缝550a注射到衬底S的上部部分(即，薄膜11)上，激光照射在薄膜11上。
[0080]此处，如上文所描述，氮气可被压缩，同时穿过第一储箱530a、第二储箱530b以及第三储箱530c以产生均匀流。因此，可供应氮气，使得氮气均匀地分布到第一注射狭缝540a以及第二注射狭缝550a中的每一个的整个区中。因此，氮气可均匀地注射到被照射激光束的薄膜11上。同样地，所注射的氮气可从板550与衬底S之间的间隙向外扩展。此处，存在于板550与衬底S之间的氧气以及杂质可由氮气向外推动。同样地，因为在板550与衬底S之间的空间中产生惰性气体气氛，所以在光照射模块500外部的氧气或杂质可渗透到板550与衬底S之间的空间中。因此，被照射激光的薄膜11可不暴露给氧气以及杂质。即，被照射激光的薄膜11可通过惰性气体的均匀注射可不暴露给氧气以及杂质。因此，因为被照射激光的薄膜不暴露给氧气以及杂质，所以薄膜11在薄膜11的结晶期间可能不会氧化，并且还可能不会因杂质而被污染或改变性质。
[0081]根据实施例的气体注射单元可将惰性气体均匀地注射到衬底上。因此，当执行衬底处理工艺时，可在衬底上方产生惰性气体气氛以防止衬底暴露给氧气以及杂质。特别地，可将惰性气体均匀地注射到在衬底的被照射光的区域上形成的薄膜上。因此，薄膜的被照射光的部分可不暴露给氧气以及杂质，从而防止薄膜被氧气氧化并且还防止因杂质而发生的工艺缺陷。
[0082]尽管已参考特定实施例而描述气体注射单元以及包含所述气体注射单元的热处理设备，但实施例并不限于这种情形。因此，所属领域的技术人员将容易理解，在不脱离由所附权利要求书界定的本发明的精神以及范围的情况下，可对实施例进行各种修改以及改变。
【主权项】
1.一种经配置以将惰性气体注射到衬底上的气体注射单元,所述气体注射单元包括: 气体注射块，所述气体注射块具有气体注射空间，所述惰性气体穿过所述气体注射空间，并且所述气体注射块具有注射狭缝，所述注射狭缝界定在下侧中、具有在所述衬底的一个方向上延伸的线形状，并且允许所述惰性气体穿过所述注射狭缝，以便朝向所述衬底引导所述惰性气体；以及 气体供应部件，所述气体供应部件包括第一储箱，所述第一储箱在所述注射狭缝的延伸方向上延伸，并且在所述第一储箱的中心方向上具有从所述第一储箱的两个端逐渐地减小的内径，所述惰性气体是通过所述两个端被引入，所述气体供应部件布置在所述气体注射块内并且连接到所述气体注射空间，以将所述惰性气体供应到所述气体注射空间中。
2.根据权利要求1所述的气体注射单元,其中所述气体供应部件包括: 第二储箱，所述第二储箱布置在所述气体注射块内以在所述第一储箱的延伸方向上延伸，所述第二储箱布置在所述第一储箱与所述气体注射空间之间，并且具有小于所述第一储箱的体积的体积；以及 第三储箱，所述第三储箱布置在所述气体注射块内以在所述第二储箱的延伸方向上延伸，所述第三储箱布置在所述第二储箱与所述气体注射空间之间，并且具有小于所述第二储箱的体积的体积。
3.—种经配置以将惰性气体注射到衬底上的气体注射单元，所述气体注射单元包括: 气体注射块，所述气体注射块具有气体注射空间，所述惰性气体穿过所述气体注射空间，并且所述气体注射块具有注射狭缝，所述注射狭缝界定在下侧中、具有在所述衬底的一个方向上延伸的线形状，并且允许所述惰性气体穿过所述注射狭缝，以便朝向所述衬底引导所述惰性气体；以及 气体供应部件，所述气体供应部件具有多个储箱，所述多个储箱在所述气体注射块内在所述气体注射空间的方向上排列，并且具有彼此不同的体积，所述气体供应部件将所述惰性气体供应到所述气体注射空间中，其中具有相对小体积的所述储箱是邻近于所述气体注射空间而布置。
4.根据权利要求3所述的气体注射单元，其中所述多个储箱包括: 第一储箱，所述第一储箱在所述注射狭缝的延伸方向上延伸，所述第一储箱在所述第一储箱的中心方向上具有从所述第一储箱的两个端逐渐地减小的内径，所述惰性气体是通过所述两个端被引入； 第二储箱，所述第二储箱布置在所述气体注射块内以在所述第一储箱的延伸方向上延伸，所述第二储箱布置在所述第一储箱与所述气体注射空间之间，并且具有小于所述第一储箱的体积的体积；以及 第三储箱，所述第三储箱布置在所述气体注射块内以在所述第二储箱的延伸方向上延伸，所述第三储箱布置在所述第二储箱与所述气体注射空间之间，并且具有小于所述第二储箱的体积的体积。
5.根据权利要求2或4所述的气体注射单元,所述气体注射单元进一步包括气体供应管，所述气体供应管连接到所述第一储箱的所述两个端中的每一个，以将所述惰性气体供应到所述第一储箱中。
6.根据权利要求5所述的气体注射单元，其中所述气体供应部件包括: 连接通道，所述连接通道将所述第二储箱连接到所述第三储箱，所述连接通道是小于所述第二储箱以及所述第三储箱中的每一个的体积的体积；以及 排放狭缝，所述排放狭缝具有连接到所述第三储箱的一个端以及与所述气体注射空间的内部连通的另一端，所述排放狭缝具有小于所述第三储箱以及所述连接通道中的每一个的体积的体积。
7.根据权利要求5所述的气体注射单元，其中所述第一储箱包括: 第一通道，所述第一通道在所述第一通道的中心方向上具有从所述第一通道