的有机材料以形成第二钝化层119，并且利用掩模工艺对第二钝化层119构图以形成与第一漏接触孔113a对应并将漏极113露出的第二漏接触孔113b。
[0094]另选地，可在形成第一钝化层117和第二钝化层119然后对第一钝化层117和第二钝化层119构图的方法中同时形成第一漏接触孔113a和第二漏接触孔113b。换言之，第一漏接触孔113a和第二漏接触孔113b可在同一掩模工艺中形成。
[0095]参照图3G，可在第二钝化层119上沉积例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料，并利用掩模工艺进行构图以形成公共电极121。公共电极121可形成在整个显示区上，并具有与各个开关区TrA的至少一部分对应的开口。
[0096]参照图3H，可在公共电极121上沉积例如硅氧化物或硅氮化物的无机绝缘材料以形成第三钝化层123。然后，可在掩模工艺中对第三钝化层123构图以形成与第一漏接触孔113a和第二漏接触孔113b对应并将漏极113露出的第三漏接触孔113c。
[0097]参照图31，可在第三钝化层123上沉积例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料并利用掩模工艺进行构图以在各个像素区P中形成像素电极125。像素电极125可通过第一漏接触孔113a至第三漏接触孔113c来接触漏极113，并在各个像素区P中包括多个开口 0P。
[0098]通过上述工艺，可制造阵列基板100。此阵列基板100可用作FFS模式IXD的阵列基板。
[0099]另选地，具有板形状的像素电极可形成在阵列基板上的各个像素区中，公共电极可形成在与阵列基板相对的基板上，阵列基板和相对基板被附接，以形成扭曲向列(TN)模式IXD、电控双折射(ECB)模式IXD或垂直配向(VA)模式IXD。
[0100]另选地，条形像素电极和条形公共电极可在阵列基板处的各个像素区中交替，此阵列基板可以是用于面内切换(IPS)模式LCD的阵列基板。
[0101]另外，实施方式的阵列基板可用作用于诸如OLED装置的其它平板显示装置的阵列基板。
[0102]如上所述，在阵列基板100中，硅化物层200可形成在源极111和漏极113上，并且可对氧化物半导体层107的背沟道区执行表面处理。因此，即使TFT T可包括氧化物半导体层107并且金属线使用低电阻的Cu层，也可去除蚀刻阻止件并且可防止TFT T的劣化。
[0103]图4A和图4B是示出分别根据比较例和本公开的实施方式的包括氧化物半导体层的TFT的传递特性的曲线图。图4A和图4B各自示出在漏电压保持在0.1V和1V的情况下漏电流与栅电压的关系。
[0104]在比较例中，通过工艺简化而从现有技术的阵列基板去除蚀刻阻止件。因此，参照图4A，电压-电流传递曲线表明用于比较的TFT不具有开关元件的特性，而是导体。
[0105]然而，在所公开的实施方式中，硅化物层200可形成在源极111和漏极113上，并且可对氧化物半导体层107的背沟道区进行表面处理。在这种情况下，参照图4B，所公开的实施方式的TFT T具有开关元件的特性。
[0106]换言之，在所公开的实施方式中，由于硅化物层200可形成在源极111和漏极113上，并且可对氧化物半导体层107的背沟道区进行表面处理，所以可简化生产工艺，并且可防止TFT T的劣化。另外，可防止使用Cu的金属线的氧化，因此可防止由于电流泄漏引起的可靠性的降低。
[0107]换言之，在硅化物层200没有形成在源极111和漏极113上的情况下，源极111和漏极113被用于氧化物半导体层107的表面处理离子化。这示出于图5A中，图5A示出其上没有硅化物层的使用Cu的金属线发生氧化。当发生氧化时，由于漏电流而导致可靠性降低。
[0108]然而，在所公开的实施方式中，由于硅化物层200，可防止源极111和漏极113的氧化。这示出于图5B中，图5B示出其上具有硅化物层的使用Cu的金属线没有发生氧化。
[0109]如上所述，当硅化物层200形成在源极111和漏极113上时，可防止使用Cu的源极111和漏极113的氧化。因此，可防止由于电流泄漏引起的可靠性的降低。
[0110]对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下可对本公开的显示装置进行各种修改和变型。因此，本公开旨在覆盖对本公开的这些修改和变型，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。
[0111]本申请要求2013年11月7日在韩国提交的韩国专利申请N0.10-2013-0134824的优先权，针对所有目的，通过引用将其全部内容并入本文，如同在此充分阐述一样。
【主权项】
1.一种阵列基板，该阵列基板包括: 基板； 在所述基板上的栅极； 在所述栅极上的栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上的氧化物半导体层； 在所述氧化物半导体层上的源极和漏极； 在所述源极和所述漏极上的硅化物层；以及 在所述源极和所述漏极上的第一钝化层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述源极和所述漏极各自具有双层结构，该双层结构包括Mo、Ti和MoTi中的一个的第一层以及在所述第一层上的Cu的第二层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括连接到所述漏极的像素电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，该阵列基板还包括: 在所述第一钝化层上的第二钝化层； 在所述第二钝化层上的公共电极；以及 在所述公共电极上的第三钝化层， 其中，所述第一钝化层至第三钝化层包括将所述漏极露出的各个漏接触孔，并且 其中，所述像素电极在所述第三钝化层上并且包括多个条形开口。
5.一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤: 在基板上形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极； 将包含硅烷SiH4的气体混合物喷射在所述源极和所述漏极上以在所述源极和所述漏极上形成硅化物层； 对在其上具有所述硅化物层的所述源极与所述漏极之间的所述氧化物半导体层的背沟道区执行表面处理；以及 在所述源极和所述漏极上形成第一钝化层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述气体混合物包含氮N2、氦He和氩Ar中的一种。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述表面处理利用氧O2等离子体处理、臭氧O3处理和氧气氛中的热处理中的一种来执行。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，利用氧喷射执行所述氧等离子体处理。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在臭氧气氛中利用UV照射执行所述臭氧处理。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，利用约100摄氏度至约300摄氏度的热来执行氧气氛中的所述热处理。
11.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一钝化层利用包含娃烧SiH4和一氧化二氮N2O的气体混合物来形成。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，喷射所述气体混合物的步骤、执行所述表面处理的步骤和形成所述第一钝化层的步骤在相同的室中进行，并且在所述气体混合物没有被离子化的状态下将所述气体混合物喷射到所述源极和所述漏极上。
13.根据权利要求5所述的方法，其中，所述源极和所述漏极各自具有双层结构，该双层结构包括Mo、Ti和MoTi中的一个的第一层以及在所述第一层上的Cu的第二层。
14.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括:在所述源极和所述漏极上形成第一钝化层的步骤之后，形成连接到所述漏极的像素电极。
15.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤: 在所述第一钝化层上形成第二钝化层； 在所述第二钝化层上形成公共电极；以及 在所述公共电极上形成第三钝化层， 其中，所述像素电极在所述第三钝化层上，包括多个条形开口，并且通过所述第一钝化层至所述第三钝化层中的各个漏接触孔来接触所述漏极。
【专利摘要】阵列基板及其制造方法。一种用于电子显示器的阵列基板包括：基板；在所述基板上的栅极；在所述栅极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上的源极和漏极；在所述源极和漏极上的硅化物层；以及在所述源极和漏极上的第一钝化层。所述阵列基板及其制造方法防止了电子显示器的驱动像素中使用的薄膜晶体管(TFT)的劣化。
【IPC分类】H01L29-786, H01L21-84, H01L29-08, H01L27-12, H01L21-34
【公开号】CN104637952
【申请号】CN201410594267
【发明人】廉政旼, 金侦演
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年10月29日
【公告号】US20150123118