。
[0059]然而，通过形成如图5所示的穿过蚀刻阻挡层123和半导体层120的半导体接触孔125，可以避免或缓解以上问题。当源极133和漏极136接触半导体接触孔125中的半导体层120的暴露部分的侧表面时(半导体接触孔125形成为穿过蚀刻阻挡层123和半导体层120)，源极133与半导体层120之间的接触面积变得实质上等同于漏极136与半导体层120之间的接触面积，从而避免或最小化由于接触区域偏差所导致的图像质量劣化。
[0060]再次参照图4，源极133和漏极136形成在蚀刻阻挡层123上。源极133和漏极136中的每一个具有单层结构或多层结构，且能够由诸如Al、Al合金、Cu、Cu合金、钥(Mo)或Mo合金(MoTi)之类的低阻抗金属材料形成。源极133和漏极136通过半导体接触孔125来接触半导体层120的顶面。
[0061]替代地，如图5所示，源极133和漏极136通过半导体接触孔125来接触半导体层120的侧面。
[0062]再次参照图4，第一辅助图案138通过栅极接触孔126接触第一栅极115且与源极133和漏极136间隔开；第一辅助图案138形成在蚀刻阻挡层123上和栅极接触孔126中。第一辅助图案138形成在与源极133和漏极136相同的层上，且第一辅助图案138由与源极133和漏极136相同的材料形成。第一辅助图案138被形成以用于第一栅极115与第二栅极168之间的可靠连接。
[0063]包括第一漏极接触孔143和第一辅助接触孔144的钝化层140形成在源极133、漏极136和第一辅助图案138上。第一漏极接触孔143暴露漏极136，第一辅助接触孔144暴露第一辅助图案138。钝化层140可由诸如氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘材料形成。
[0064]辅助漏极156通过第一漏极接触孔143接触漏极136，第二辅助图案153通过第一辅助接触孔144接触第一辅助图案138 ;辅助漏极156和第二辅助图案153使用低阻抗金属材料形成在钝化层140上。辅助漏极156和第二辅助图案153可使用相同的材料同时形成。
[0065]第二辅助图案153与源极133和漏极136间隔开。即，第二辅助图案153与源极133和漏极136不重叠。因此，源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题得到缓解或不会发生。通过第二辅助图案153和第一辅助图案138而建立和保障第一栅极115与第二栅极168之间的电气连接。
[0066]平坦化层160形成在辅助漏极156、第二辅助图案153和钝化层140上。平坦化层160由有机绝缘材料形成且具有平坦的顶面。平坦化层160包括暴露辅助漏极156的第二漏极接触孔163和暴露第二辅助图案153的第二辅助接触孔164。第二漏极接触孔163和第二辅助接触孔164可同时形成。
[0067]第一电极170通过第二漏极接触孔163接触辅助漏极156，第一电极170形成在平坦化层160上。在OLED显示装置中，第一电极170可由具有相对较高功函数的材料(例如氧化铟锡(ITO))形成以用作阳极。另一方面，有机发光二极管E形成在相对的基板上，且第一电极170可由低阻抗金属材料形成。在IXD装置中，第一电极170被用作像素电极。
[0068]此外，第二栅极168形成在平坦化层160上和第二辅助接触孔164中。S卩，第二栅极168设置在源极133和漏极136之上，但第二栅极168通过平坦化层160而与钝化层140分隔开。第二栅极168通过第二辅助接触孔164接触第二辅助图案153。即，第二栅极168通过第一辅助图案138和第二辅助图案153而与第一栅极115电气连接。第一辅助图案138和第二辅助图案153中的每一个可由导电材料形成。第二栅极168由与第一电极170相同的材料形成，且第二栅极168可使用相同的制造工艺与第一电极170同时形成。
[0069]在具有以上结构的驱动TFT DTr中，不仅钝化层140而且平坦化层160也被设置在源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间。即使源极133和漏极136的金属材料迁移到钝化层140中，迁移的金属材料也会被具有比钝化层140更厚的厚度(例如I μ m以上)的平坦化层160所阻挡。
[0070]因此，驱动TFT DTr具有包括第一栅极115和第二栅极168的双栅极结构，源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题能够被避免或最小化。
[0071]尽管未图示，与栅极线、数据线和驱动TFT DTr电气连接的开关TFT形成在基板110上。开关TFT可具有与驱动TFT相同的结构或单栅极结构。
[0072]当开关TFT具有单栅极结构时，可省去第一辅助图案138、第二辅助图案153、第二栅极168和辅助漏极156。此外，可省去栅极接触孔126、第一辅助接触孔144、第二辅助接触孔164和第一漏极接触孔143。即，单栅极型开关TFT包括栅极、半导体层、源极和漏极。
[0073]另一方面，当开关TFT包括辅助漏极时，钝化层140包括暴露漏极的接触孔，辅助漏极通过接触孔来接触漏极且形成在钝化层140上。此外，开关TFT可包括辅助源极和辅助漏极，或者开关TFT可包括辅助源极而不包括辅助漏极。在这种情况下，钝化层140包括暴露源极的源接触孔，辅助源极通过源接触孔来接触源极且形成在钝化层140上。
[0074]在本发明的阵列基板中，驱动TFT DTr具有如图4和图5所示的双栅极结构，其中第一栅极115和第二栅极168分别设置在半导体层120之下和之上，以便改善导通(ON)电流特性(1n)。换句话说，半导体层120被设置于第一栅极115与第二栅极168之间。此夕卜，由于源极133与第二辅助图案153之间以及漏极136与第二辅助图案153之间的电气短路问题被缓解或不发生，因此提高了显示装置的生产量。
[0075]在第一电极170和第二栅极168上形成堤171。堤171围绕第一电极170的边缘且覆盖第二栅极168。换句话说，堤171围绕发光区域且暴露第一电极170的中心。堤171覆盖整个驱动区域DA。堤171可由黑树脂或透明有机绝缘材料形成，比如聚酰亚胺。
[0076]在第一电极170的没有形成堤171的部分上,形成有机发光层173。有机发光层173接触通过堤171而暴露的第一电极170。
[0077]在第一电极170上形成第二电极176，第二电极176覆盖阵列基板的显示区域的整个表面。第二电极176由具有相对较低功函数的金属材料形成以用作阴极。第二电极176可由Al、Al合金、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和Al-Mg合金(AlMg)中的至少一种形成。
[0078]第一电极170、第二电极176和有机发光层173构成有机发光二极管E。
[0079]尽管未图示，第一发光增强层和第二发光增强层可分别形成在第一电极170与有机发光层173之间以及有机发光层173与第二电极176之间，以提高有机发光二极管E的发光效率。第一发光增强层和第二发光增强层中的每一个可具有多层结构。
[0080]例如，第一发光增强层可包括第一电极170上的空穴注入层和空穴注入层上的空穴传输层。第二发光增强层可包括有机发光层173上的电子传输层和电子传输层上的电子注入层。第一发光增强层可进一步包括电子阻挡层，第二发光增强层可进一步包括空穴阻挡层。
[0081]另一方面，第一发光增强层可具有空穴注入层或空穴注入层上的空穴传输层的单层结构，且第二发光增强层可具有电子传输层或电子注入层的单层结构。
[0082]参照图6，图6是根据本发明的第三实施例的OLED显示装置的阵列基板的示意截面图，图4(或图5)的阵列基板101进一步包括在每一个发光区域EA中的滤色器图案“CF”。滤色器图案“CF”具有红色、绿色和蓝色中的一种颜色。在图6中，滤色器图案“CF”具有红色。另一像素区域中的滤色